高性能膨脹石墨、可膨脹石墨制備技術工藝配方資料精選
自從我公司2000年推出每年一期的石墨新技術系列列新技術匯編以來，深受廣大企業的歡迎，在此，我們衷心地感謝致力于創新的新老客戶多年來對我們產品質量和服務的認同，由衷地祝愿大家工作順利!
石墨產業未來市場前景十分廣闊。傳統應用領域對石墨消費拉動、新興領域拓展是石墨產品未來市場的增長點。耐火材料行業是石墨消費的重要領域，鎂碳磚對石墨的需求量占我國石墨消費量的近1/3，電動汽車鋰電池負極材料，鋼鐵行業的持續穩定發展將促進石墨產業持續穩定增長。隨著高新技術的發展、新材料產業將成為石墨產業新的增長點，高性能石墨導電材料、密封材料、環保材料、熱交換材料、石墨烯等新興材料以及制品產業將會得到快速發展。
石墨產品需求結構將不斷升級，球型石墨、柔性石墨、石墨電極、核石墨等加工產品將成為新的市場熱點；利用具有自主知識產權的創新性技術，研究開發優質石墨新材料、廣泛應用于能源、環保、國防等領域。未來產品需求專業化程度不斷加強，滿足下游領域對高性能、專業化石墨材料制品需求將成為發展主流，由石墨原材料向深加工加工及其制品方向發展趨勢明顯，同時，大力發展節能環保、新能源、生物、高端裝備制造、新材料、新能源汽車等戰略新興產業，從而帶動石墨產業快速發展。
本期所介紹的資料，系統全面地收集了到2023年膨脹石墨制備制造最新技術，包括：優秀的專利新產品，新配方、新產品生產工藝的全文資料。其中有許多優秀的新技術在實際應用巨大的經濟效益和社會效益，這些優秀的新產品的生產工藝、技術配方非常值得我們去學習和借鑒。
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2024新版《高性能膨脹石墨、可膨脹石墨制造工藝配方精選匯編》
SiC陶瓷不僅具有優良的常溫力學性能，如高的抗彎強度、優良的抗氧化性、良好的耐腐蝕性、高的抗磨損以及低的摩擦系數，而且高溫力學性能(強度、抗蠕變性等)是已知陶瓷材料中最佳的。熱壓燒結、無壓燒結、熱等靜壓燒結的材料，其高溫強度可一直維持到1600℃，是陶瓷材料中高溫強度最好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中最好的。
【資料內容】生產工藝、配方
【資料頁數】698頁(大16開 A4紙)
【項目數量】70項
【出品單位】國際新技術資料網
【合訂本】1680元(上、下冊)
【電子版】1480元（PDF文檔）（郵箱傳送）
【交付方式】中通（免郵費） 順豐（自付）
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1 一種3D打印用碳化硅-金剛石復合粉體及其制備方法和應用
先將金剛石與酚醛樹脂溶液混合，在低速條件下長時間攪拌混勻，加熱成糊狀，再進一步真空加熱，得到酚醛樹脂包覆的金剛石；然后按配比將碳化硅與酚醛樹脂包覆的金剛石混勻，將所得混合物進一步均質，得到所述的3D打印用碳化硅?金剛石復合粉體。制備的碳化硅?金剛石復合粉體可以滿足粘結劑噴射打印的要求，在低溫下采用液相滲硅方式得到復雜形狀、致密化的碳化硅?金剛石復合材料部件。
2 一種高比剛度的碳化硅陶瓷及其制備方法
碳化硅陶瓷包括以下重量份的各組分混合壓制成型后再燒結制成：通過向碳化硅陶瓷中同時引入碳化硼和石墨烯，優化碳化硅陶瓷的組成，制備的碳化硅陶瓷在保持導熱性和彎曲強度的基礎上獲得了更高的比剛度，比剛度可提升至142.3×10＆lt;supgt;6＆lt;/supgt; m＆lt;supgt;2＆lt;/supgt;·s＆lt;supgt;?2＆lt;/supgt;，更好的滿足碳化硅陶瓷在半導體裝備制造中的應用。
3 一種高性能的碳化硅陶瓷材料低溫燒結方法
步驟；準備材料：選擇適當的碳化硅粉末，選取粒徑范圍為0.1?10微米的高純度碳化硅粉末，選擇適當的摻雜劑粉末；混合材料：將碳化硅粉末與摻雜劑粉末混合均勻，以確保燒結過程中摻雜劑能夠均勻分布在碳化硅陶瓷材料中；壓塊處理：對混合的碳化硅粉末和摻雜劑粉末進行壓塊處理，形成均勻的預燒結塊體；低溫燒結后將預燒結塊體在真空或保護氣氛中進行燒結。具有良好的力學性能、耐熱性和抗氧化性，突破了傳統燒結方法的限制，具有很好的應用前景。
4 一種微波制備Si2N2O結合碳化硅陶瓷的方法
借助微波燒結時碳化硅自身的發熱實現燒結，Si＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O的熱震穩定性和抗氧化性能良好；加熱過程減少熱能損耗，能源利用率高，Si＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O受熱結合均勻度好，制備的Si＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O結合碳化硅制品強度高，抗腐蝕性好，具有廣闊的應用前景。
5 一種選擇性激光燒結多孔導電陶瓷3D打印耗材及制備方法
選擇性激光燒結多孔導電陶瓷3D打印耗材，無需使用造孔劑，制備工藝簡單、成本低廉，具備量產的條件，能夠在多孔導電陶瓷體無需做成薄片的前提下，解決多孔導電陶瓷霧化芯熱熔大和導油儲油的技術問題。
6 一種微波制備莫來石結合碳化硅陶瓷的方法
按照二氧化硅、氧化鋁和碳化硅的摩爾比為2:3:5～100稱取硅源、鋁源和碳化硅，將其均勻混合后按照一定的成型方法制得坯體；將成型后的坯體置于微波燒結爐中，在燒結氣氛保護下，以0.1～3KW/min的速度提升輸入功率，升溫至900～1300℃后，保溫0～1h，得到莫來石結合碳化硅陶瓷。借助微波燒結時碳化硅自身的發熱實現燒結，莫來石在高溫下可提高制品的抗氧化性能；加熱過程能耗低，莫來石產生迅速，結合均勻度好，燒成溫度低，保溫時間短；制備的莫來石結合碳化硅制品強度高，市場前景廣闊。
7 石墨烯增韌碳化硅陶瓷材料的制備方法
包括SiC分散?石墨烯分散?混合分散?粉體制備?壓制成型?無壓燒結等步驟。將石墨烯分散于PVA水溶液中形成石墨烯漿料，然后將石墨烯漿料加入SiC漿料中進行超聲和球磨，使得石墨烯更均勻的分散在SiC漿料中。可減少石墨烯片層間印范德華力導致的石墨烯團聚現象，使得石墨烯更均勻的分散在SiC漿料中，提高石墨烯改性復合材料的性能。利用該方法所得的石墨烯增韌碳化硅陶瓷材料，既保持石墨烯/碳化硅陶瓷復合材料的抗彎強度穩定，又使復合材料的斷裂韌性和硬度有所提高。在保證抗彎強度穩定性的條件下，所制備的石墨烯增韌碳化硅陶瓷材料的斷裂韌性可達4.87MPa·m1/2，硬度可達25.08HV。
8 一種碳化硅陶瓷材料及其制備方法和應用
步驟：將碳化硅原料、陶瓷添加劑和燒結助劑混合，得到混合漿料；采用造粒法將所述混合漿料制成混合粉體，并進行干燥；將干燥后的混合粉體3D打印成陶瓷素坯，并進行致密化處理，燒結后得到所述碳化硅陶瓷材料；所述致密化處理包括冷等靜壓和/或噴涂樹脂固化；所述噴涂樹脂固化的過程中，樹脂的噴涂量為0.1?0.5g/cm2。采用3D打印和致密化處理，得到了碳化硅含量＞98％的高純碳化硅陶瓷材料。解決了傳統方法中難于成型復雜結構件的問題，還解決了3D打印陶瓷素坯密度低、強度低的問題，綜合提高了材料的致密度和力學性能，降低了生產成本。
9 一種高強耐磨氮化硅結合碳化硅陶瓷及制備方法
高強耐磨氮化硅結合碳化硅陶瓷，由單質硅粉、碳化硅粉、氮化硅粉、調質劑、結合劑制備而成：調質劑包括Y2O3微納米顆粒、碳化鋯粉、鋯粉和碳化鎢。采用反應燒結氮化硅結合碳化硅工藝，復合調質劑和原位生成可控的纖維狀、柱狀Si3N4的耦合作用下，對微觀結構與物相組成進行優化設計與可控制備；ZrSi2N4與氮化硅能形成良好的化學結合。該方法制備的耐磨陶瓷具有高強、高硬、高韌的特點，耐磨性、耐腐蝕性、耐沖擊性能顯著提升，服役壽命延長，大幅度提高相關產業生產效率，同時減少對物料的污染，保證了產品的高性能與穩定性，且具有明顯的經濟效益。
10 一種反應燒結碳化硅的制備方法
步驟一、配置主料：炭化粉體、高殘炭率樹脂、造孔劑、溶劑、表明活性劑；其中，炭化粉體分為：碳化硅微粉、活性炭粉或炭黑其比例為7:3；碳化硅微粉為粒徑在6～10μm的綠碳化硅微粉，活性炭粉或炭黑的顆粒粒徑均為40～100nm，通過采用的炭化粉體分為：碳化硅微粉、活性炭粉或炭黑其成分環保無毒，使在燒制使產生的煙也不會產生毒氣，減少對環境的污染，流程較為簡單，能夠解決大量的碳化硅肥浪費的問題，降低反應燒結碳的成本，且備料過程中需要將，沒有將毛坯篩分成粒狀的情況，降低了用燒結時產生的成本。
11 一種各向異性電阻率的碳化硅陶瓷及其制備方法、碳化硅薄片類制件
各向異性電阻率的碳化硅陶瓷及其制備方法、碳化硅薄片類制件。該碳化硅陶瓷包括依次疊加的高純度碳化硅絕緣薄層和含碳高導電薄層；所述碳化硅陶瓷的頂層和底層均為所述高純度碳化硅絕緣薄層；高純度碳化硅絕緣薄層中，碳硅摩爾比為0.8?2，厚度為0.1?10mm；所述含碳高導電薄層中，碳硅摩爾比為2?15，厚度為0.05?3mm。利用制備方法能夠制得高純度、高致密度、各向異性電阻率的碳化硅陶瓷，碳化硅陶瓷的電阻率各向異性指數高達101.993。
12 一種高純高電阻率碳化硅制件及其成型工藝
該工藝如下：將數字模型切片，并將切片形狀分別化學氣相沉積高純高電阻率碳化硅薄片，再將沉積后的高純高電阻率碳化硅薄片組裝燒結得到目標制件。通過控制切片參數，將制件整體“化整為零”，分別沉積，在精確控制成型的基礎上，極大地提升了化學氣相沉積的制備效率。利用本申請的成型工藝制得的高純高電阻率碳化硅制件具有高純度（＞99.98%）、高密度（＞3.204g/cm3）、機加削減量低（0.4?1%）、高硬度（3405HV）、高電阻率（＞4.32×106Ω·cm）等諸多優勢，并具備碳化硅材料的耐磨、耐腐蝕、耐高溫等本征特性。
13 一種碳化硅陶瓷及其制備方法
該碳化硅陶瓷的制備方法包括：造粒；成型；包膜；燒結；造粒步驟中：將碳化硅微粉95?97份、高純度酚醛樹脂1?1.5份、導熱填料0.2?1.3份以及碳化硼0.5?1份混合均勻后，進行造粒，獲得碳化硅粉粒；碳化硅微粉的純度為95%以上；導熱材料中，石墨烯、納米碳管、炭黑和銀粉的重量比為（0.2?2）：（0.4?1.8）：（0.5?3.5）：（0.1?1.2）；包膜步驟中，將成型后獲得的陶瓷胚體包裹聚乙烯層。通過同時在制備方法中添加導熱填料和包裹聚乙烯膜，制得的碳化硅陶瓷低裂紋，具有更好的產品質量和穩定性。
14 一種擠出成型3D打印高固含量高導熱碳化硅陶瓷制備方法
包括：稱取一定比例的碳化硅粉體與碳粉，混合均勻形成混合粉體；稱取一定質量的水，在水中加入粘結劑以及分散劑混合均勻，在混合好的水溶液中加入混合粉體，攪拌均勻得到打印漿料；將制備好的打印漿料裝入料管中，脫氣3－10分鐘，脫氣完的打印漿料放入打印機中，設置好打印機打印參數，打印機逐層打印至預設好形狀的坯體；對坯體進行干燥，并將干燥完成的坯體脫脂得到預制體；將預制體進行真空滲硅處理得到致密化的碳化硅陶瓷。工藝步驟簡單，可制備高固相含量的打印漿料，有利于碳化硅陶瓷的成型以致密化，且生產出的碳化硅陶瓷件的形狀更為復雜精確，致密度和導熱率高。
15 一種SiC陶瓷材料及其制備方法
步驟：S1、將粒徑不同的SiC顆粒進行不同的質量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均勻后，得混合粉體；S2、將S1得到混合粉體裝入模具中，對混合粉體預壓后，采用振蕩熱壓燒結，冷卻得到SiC陶瓷材料。采用不同粒徑的SiC顆粒，按照不同比例進行顆粒級配，加入聚碳硅烷，在不添加燒結助劑條件下，通過振蕩熱壓技術進行燒結以獲得高致密度、高性能的無燒結助劑SiC陶瓷。
16 高耐磨的二氧化硅/碳化硅復合陶瓷及其制備方法和應用
包括70～85％的主相和15～30％的結合相，所述主相由粒度3～20mm的SiC陶瓷體和粒度0.001～3mm的SiC顆粒組成，SiC陶瓷體為復合陶瓷總重量的10～50％，所述SiC顆粒為復合陶瓷總重量的35～75％，結合相包括復合陶瓷重量10～25％的二氧化硅。通過加入粒度在3～20mm的SiC陶瓷體，使二氧化硅/碳化硅復合陶瓷具有高的耐磨性和耐沖擊性能，可應用在渣漿泵、旋流器或浮選機領域中。
17 一種碳化硅復相陶瓷及其制備方法
通過以具有特定參數(粒徑、角形系數、堆積密度)的碳化硅粉體為原料，結合3D打印過程中的對鋪層粉體進行抽氣并低頻震動的操作，實現了高密度的碳化硅陶瓷材料素坯，制備得到的碳化硅陶瓷材料素坯的密度可達1.90g/cm3。制備同樣素坯密度的碳化硅復相陶瓷材料，降低了后續的增密處理的次數，簡化了工藝，節約能源。
18 一種無壓液相燒結碳化硅陶瓷及其制備方法
碳化硅陶瓷由素坯依次經過加熱脫膠和無壓液相燒結后得到，素坯由造粒粉體壓制而成，造粒粉體由漿料經過離心噴霧造粒后得到，漿料的組分包括去離子水，漿料中除了去離子水外還包括如下重量份的組分：碳化硅原粉100份，燒結助劑3?5份，聚乙烯醇0.5?1.5份，四甲基氫氧化銨0.5?1.5份，尿素0.5?1.5份，脫模劑0.5?1份；燒結助劑為含有氧化釔粉體和氧化鋁粉體的水分散液。減少了陶瓷產品出現表面過燒和內部欠燒的可能，提高了燒結成功率，減少了對碳化硅原粉的浪費。
19 一種氮化硅質大尺寸高溫結構件及其制備方法
該方法是將氮化硅粉體與燒結助劑混合，原料采用α?氮化硅粉、β?氮化硅晶須、氧化鋁粉、稀土氧化物、硅粉，造粒成型排膠后在低溫、低壓條件預燒結，隨后在高壓條件中溫燒結，最后在高溫低壓燒結，其中燒結過程全程采用雙層埋粉，內層BN與石墨混合粉，外層SiON與氮化硼、氮化硅混合粉。采用以上工藝制備的大尺寸厚壁(大于30mm)氮化硅高溫結構陶瓷：內外顏色均勻、無夾心；燒結體β?氮化硅晶粒直徑1?1.5um，長徑比范圍4?8，嵌于網絡結構的四方狀氮化鋯直徑2?3um；HV硬度大于15GPa，室溫抗彎強度大于800MPa，900℃抗彎強度大于600MPa，斷裂韌性大于7MPa·m＆lt;supgt;1/2＆lt;/supgt;，熱膨脹系數2.8?3.1×10＆lt;supgt;?6＆lt;/supgt;。
20 一種高致密度、高導熱的碳化硅-氧化鈹復合陶瓷及其制備方法
將碳化硅粉體、氧化鈹粉體和助燒劑，經混合、干燥、放電等離子燒結后制備而成；其中，碳化硅粉體與氧化鈹粉體的質量比為(5?18)：1；所述助燒劑質量為所述碳化硅粉體和所述氧化鈹粉體總質量的5％?12％。高致密度、高導熱的碳化硅?氧化鈹復合陶瓷，不僅復合陶瓷的致密度以及組織的均勻性得到了有效的提高，而且有效的提高了復合陶瓷的導熱性能。不僅可實現碳化硅粉體、氧化鈹粉體和助燒劑的快速燒結，有效的提高復合陶瓷的燒結速度，而且節能環保，可有效的防止燒結過程中雜質的產生。
21 一種碳化硅蜂窩陶瓷及其制備方法
將核桃殼炭粉、硅微粉和石墨烯粉體分別通過球磨機粉碎均勻；將核桃殼炭粉、石墨烯粉體、氟化硅、二氧化硅溶膠、造孔劑、燒結助劑攪拌均勻后，加入分散劑、擠壓助劑再進行攪拌，形成混合料；擠壓成型，干燥得到碳化硅蜂窩陶瓷坯體；以升溫速度20~25℃/h升溫至700～800℃，保持1～1.5h，再升溫至1100～1300℃保持1~1.5h，停止加熱，冷卻至50~60℃的溫度下，浸入至樹脂液中1~1.5h，取出后繼續加熱至800～1000℃保持2.5~3h，得到碳化硅蜂窩陶瓷。所制得的碳化硅蜂窩陶瓷具有良好的韌性。
22 一種碳化硅陶瓷的制備方法和由該制備方法制備的碳化硅陶瓷材料
包括：以碳化硅粉體為原料，加入燒結助劑和添加劑，在惰性氣體或真空氣氛中，高溫燒結，得到碳化硅陶瓷材料；其中，所述碳化硅粉體經過預處理過程，所述預處理過程為在真空或惰性氣氛下高溫預燒。適用于大尺寸塊體碳化硅陶瓷材料，解決了現有技術中普通粉體不適合大厚度陶瓷燒結的問題。采用預處理后的碳化硅粉，制得的碳化硅陶瓷材料的厚度為50?150mm，長度為100?400mm，寬度為100?400mm，操作方法簡便，適于大規模生產。
23 一種碳化硅陶瓷的制備方法
適用于大尺寸塊體碳化硅陶瓷，解決了現有技術中脫粘開裂和脫粘不充分的問題。采用脫粘的素坯厚度在50?200mm之間，長度在125?500mm之間，寬度在125?500mm之間，經過燒結后，其厚度在50?150mm之間，長度在100?400mm之間，寬度在100?400mm之間。脫粘后，大尺寸塊體陶瓷素坯芯部無殘余粘結劑，外觀不變形不開裂。
24 一種納米粉體改性碳化硅-碳化硼復相陶瓷及其制備方法
包括步驟：(1)一次納米粉體混合；(2)二次粉體混合；(3)噴霧造粒；(4)壓力成型；(5)預燒結；(6)終燒結。能夠制備得到硬度、強度均得到提高的SiC?B4C復相陶瓷，提高復相陶瓷性能的均勻性，且燒結溫度低，制備效率提高。
25 一種高純碳化硅陶瓷的制備方法
步驟：（1）將高純碳化硅粉體、高純二氧化硅粉體、高純納米碳粉、分散劑和去離子水混合均勻，研磨得到漿料；（2）將漿料烘干至一定程度，粉碎得到粉料；（3）將粉料過篩，并對過篩后獲得的粉料進行造粒；（4）將造粒粉壓制成素坯；（5）將素坯放入SPS模具中，加壓升溫至一定溫度，保溫一段時間，進一步升溫至最高溫度，保溫一段時間，得到高純碳化硅陶瓷。對高純碳化硅粉體進行研磨時，同時添加了高純二氧化硅粉體、高純納米碳粉和分散劑，分散劑有助于三種粉體的分散，二氧化硅和碳粉的可在一定條件下生成碳化硅，促進燒結的致密化，提高陶瓷的致密度。
26 一種凝膠注模成型無壓燒結制備碳化硅陶瓷的制備方法
步驟：S1、將碳化硅細粉經聚丙烯酸鈉和硅烷偶聯劑表面化學改性后，得到改性碳化硅粉體，待用；S2、配置丙烯酰胺、N,N?亞甲基雙丙烯酰胺、阻凝劑、去離子水和分散劑，將其攪拌均勻后，加入碳化硼粉體、碳粉以及步驟S1中得到的改性碳化硅粉體，繼續攪拌均勻，球混后真空除泡，得到預制混合漿料；S3、對步驟S2中得到的預制混合漿料進行攪拌，同時加入緩聚劑繼續攪拌，隨后加入氧化還原引發劑，攪拌后，注模，固化后即可形成胚體。將碳化硅粉體進行改性后，并在體系中添加阻凝劑，從而提升了體系的固化含量和固化均度。
27 一種陶瓷材料及其制備工藝
包括以下成分，按重量份配比：碳化硅20?50份、碳化鈦7?10份、氧化鋁5?8份、氧化鎂1?4份、石蠟11?14份、高嶺土11?14份、石墨烯1?4份、堇青石11?14份、硅烷偶聯劑1?4份、助劑1?2份、無水乙醇40?50份，所述助劑包括消泡劑、穩定劑和增效劑。通過向碳化物中添加石墨烯、石蠟和高嶺土，可提高整體的韌性和耐磨性，避免易碎，且通過向碳化物中添加堇青石和硅烷偶聯劑，可提高整體的色澤度，使其更具觀賞感。
28 一種SiC復合陶瓷材料的制備方法
包括將SiC粉、WC粉和B源、碳源球磨、干燥后，得到混合粉末；將混合粉末成型、高溫脫粘后得到陶瓷素坯；在常壓下對陶瓷素坯進行燒結處理，得到WC/SiC復合陶瓷材料。制備的WC/SiC復合陶瓷具有優異的力學性能。
29 一種大型復相反應燒結碳化硅制品及制備方法
主原料選用碳化硅顆粒和細粉、碳粉或固碳殘留≥30%的液態碳源、硅含量98%以上金屬硅粉；金屬硅粉的加入量高于Si?C反應的理論配比，其富余量用于形成氮化物結合相；根據制品尺寸形狀用半干法模壓或濕法注模成型為所需外形，素坯經烘干后裝窯；純氮氣氣氛，1150?1250℃初步形成部分氮化物；特定溫度轉換氬氣氣氛，氮化反應停止，表層和芯部形成β?SiC結合相；最后通入氮氣，達到最終燒結。大幅度降低安裝周期和成本，生產和應用環節具備節能降耗的效果。
30 一種固相燒結碳化硅制品及其制備方法
步驟：原料研磨：將微米級碳化硅粉末與含硼燒結助劑混合并濕法研磨，得到漿料；噴霧造粒：向漿料中加入水溶性炭黑和粘結劑，攪拌均勻，經過噴霧造粒，得到碳化硅造粒粉體；混料；陳腐：將混料得到的濕粉經過陳腐，得到陳腐料；后處理：將陳腐料經過練泥、擠出、干燥、熱處理即可。制備方法制備的碳化硅制品可用作換熱管、輥棒、方梁、微反應管等，其具有制品燒結密度高、抗壓強度大、韌性高的優點；具有生產成本低、生產效率高的優點。
31 一種改性碳化硅陶瓷及其制備方法
該制備方法包括(1)將包括碳化硅、氮化鈦和復合稀土氧化物的原料進行濕法混合，得到混合粉體；(2)將混合粉體真空燒結，得到素坯，之后進行破碎，得到二次粉體；(3)在氮氣保護下，對二次粉體進行熱壓燒結，得到預燒結體；(4)對預燒結體進行熱等靜壓，得到改性碳化硅陶瓷。本申請通過在碳化硅結構中摻雜氮化鈦和復合稀土氧化物，增加碳化硅內部結構中自由移動載流子的數目；另外，還可以降低碳化硅晶格中的氧含量；以及通過燒結過程條件的改變，顯著提高碳化硅陶瓷的熱導率。
32 一種改性SiC基太陽能熱發電用儲熱陶瓷及其制備方法
先按質量比為100：(0.5～9)取基礎粉料以及改性助燒劑混合均勻，得混合粉料；基礎粉料包括SiC、鋁礬土和高嶺土；向混合粉料中加入水溶性粘結劑溶液，混合均勻得到塑化坯料；塑化坯料經壓制成型和干燥，得到干燥坯體；將干燥坯體在不高于1500℃的溫度下燒結，得到改性SiC基太陽能熱發電用儲熱陶瓷。本發明制備的儲熱陶瓷材料不僅儲熱密度大、抗氧化性能好，而且其制備溫度較其他SiC基材料更低、熱導率以及機械強度更高，用于太陽能熱發電儲能系統更易實現大規模量產。
33 一種多孔碳化硅陶瓷及其制備方法
其制備過程如下：1)以SiC粉、混合樹脂溶液、碳化硼為原料，充分球磨混合均勻后制成生粉，經造粒、模壓、冷等靜壓后制成生坯；2)將生坯在真空條件下以小于100℃/h的升溫速度升至700～900℃，保溫2～4h并隨爐冷卻，使其中的混合樹脂充分碳化留下孔隙；3)在常壓保護氣氛下以200～300℃/h的升溫速度升至2000～2200℃，隨爐冷卻后移至空氣爐中在400～500℃下煅燒除去多余的碳，即得到該多孔碳化硅陶瓷。制備過程中避免了液相的生成，晶界純凈，其不僅具有良好的常溫力學性能，耐高溫性能、抗熱震性能也比較優異，大大提升高溫條件下多孔陶瓷材料性能的穩定性。
34 一種高光敏活性的碳化硅陶瓷漿料及其制備方法
高光敏活性的碳化硅陶瓷漿料由碳化硅粉體，碳化硼粉體，丙烯酸低聚物，活性稀釋劑，光引發劑，助引發劑，以及助劑組成。碳化硅粉體的重量百分比含量為66％～72％，碳化硼粉體的重量百分比含量為2％～2.2％，丙烯酸低聚物的重量百分比含量為2.1～5.7％，活性稀釋劑的重量百分比含量為16.8％～24.9％，光引發劑的重量百分比含量為1.29％～1.71％。光引發劑由裂解型自由基光引發劑，奪氫型自由基光引發劑，以及陽離子光引發劑組成。提供的高光敏活性的碳化硅陶瓷漿料可在385nm波長的UV LED冷光源下以最低200mw/cm2的曝光功率下實現表層與深層的固化。
35 一種增韌碳化硅陶瓷及其制備方法
增韌碳化硅陶瓷由包含以下重量份的原料制成：SiC粉60?80份、Si粉3?6份、碳納米管3?6份、改性酚醛樹脂6?8份以及增韌粉末6?9份，所述SiC粉的中位粒徑介于0.1?5.0μm；所述Si粉的中位粒徑介于0.1?5.0μm；其制備方法為：（1）原始混合粉料制備；（2）原始混合漿料制備；（3）干燥造粒得到原始造粒粉；（4）沖壓成型得到增韌碳化硅陶瓷粗胚；（5）烘干得到增韌碳化硅陶瓷毛坯；（6）燒結并冷卻得到增韌碳化硅陶瓷。增韌碳化硅陶瓷具有較為優良的力學性能；另外，制備方法具有提高碳化硅陶瓷的力學性能的效果。
36 一種微波制備六鋁酸鈣結合碳化硅陶瓷的方法
步驟：(1)將鋁源、鈣源和碳化硅粉體均勻混合后成型制得坯體；(2)將成型后的胚體置于微波燒結爐中，借助碳化硅粉體的吸波特性使材料升溫，鋁源和鈣源發生原位反應，實現六鋁酸鈣結合碳化硅陶瓷的制備。制備六鋁酸鈣結合碳化硅陶瓷借助微波燒結時碳化硅自身的發熱實現燒結，無需借助外界熱源，加入過程能耗低，六鋁酸鈣燒結迅速，結合均勻度好，燒成溫度低，保溫時間短，制備的六鋁酸鈣結合碳化硅制品強度高。
37 一種高強度的熔融金屬過濾用多孔碳化硅陶瓷及其制備方法
針對浸漿法所制備的陶瓷骨架致密度低，通過傳統的骨架表面致密化的加工工藝又會明顯降低對小尺寸非金屬夾雜物的濾除效果的問題。由低孔隙率的陶瓷支撐層包圍高孔隙率的陶瓷過濾中心的單元體形成的多孔碳化硅陶瓷基體，并將支撐層外側包覆陶瓷保護層，從而共同組成高強度的熔融金屬過濾用多孔碳化硅陶瓷，該制備方法操作簡便，無需二次燒結等額外工序，對設備要求低，適合不同尺寸的大批量生產。
38 一種碳化硅注塑成型工藝
步驟：S1、原料經過球磨、烘干、破碎過篩得到粉體Ⅰ；S2、使粉體Ⅰ經過冷等靜壓、破碎、過篩，獲得粉體Ⅱ；S3、粉體Ⅱ和粘接劑經過密煉、冷卻破碎、過篩獲得喂料顆粒；S4、喂料顆粒通過注射成型獲得陶瓷生坯；S5、將陶瓷生坯脫蠟浸泡獲得坯體；S6、坯體燒結后獲得產品。碳化硅注塑成型通過制備粉料、冷等成型、密煉喂料、注射成型、排蠟脫脂、燒結等工序的相互配合，能夠獲得注塑密度為3.13～3.17g/cm3、抗彎強度≥390MPa的產品；通過該工藝能夠獲得更高品質的產品，滿足更多高要求應用場景的需求。
39 一種堇青石基微晶玻璃結合碳化硅陶瓷材料及其制備方法
以堇青石基微晶玻璃為燒結助劑，通過在基體中原位合成的方式添加堇青石晶體，不僅提供了一種低溫燒結助劑，而且獲得了致密度高、燒結溫度低的碳化硅陶瓷材料，對于提高碳化硅陶瓷材料的品質、以及節約產品成本具有重要意義，有利于推廣應用和行業技術的進步與發展。
40 一種高性能的碳化硅陶瓷材料及其制備方法
主要是通過將傳統硅材料與陶瓷原料以及導電金屬粉末原料的混合塑型，通過高溫碳化煅燒以及加壓塑型得到想要的形狀和結構，其具體制備方法步驟包括：A、準備碳化硅陶瓷基礎原料；B、對原料進行研磨攪拌混合；C、對充分混合原料進行塑型和采樣檢測；D、對碳化硅材料進行強壓塑型；E、對塑型完成的碳化硅材料進行分區間高溫煅燒；F、檢測成品和進行基本清潔拋光，主要目的在于解決電池正負極輸出和導入時，局部材料過熱的難題，同時兼具較好的耐腐蝕性和耐高溫、耐磨損性。
41 一種提高碳化硅陶瓷的生長速率的方法
通過提供一種在坩堝本體內設置有多孔隔板，多孔隔板將坩堝內區域自上而下分隔為氣相區、上粉體放置區、下粉體放置區的高純石墨坩堝，并將其用于高溫物理氣相傳輸法制備碳化硅陶瓷，通過在碳化硅粉體中加入外加硅粉，并結合粉料分布形態和制備參數的調整實現提高碳化硅陶瓷的生長速率的技術目的。
42 一種大尺寸反應燒結碳化硅陶瓷板材的制備方法
質量份數比計，稱量60～85份碳化硅，5～10份的石墨粉，2～5份的炭黑以及2～4份助劑，攪拌均勻后加5～15份水繼續攪拌均勻，然后陳腐，得到泥料；將泥料進行煉泥后采用擠壓機擠出成型，得到素坯；烘干后燒結得到碳化硅陶瓷板材。采用站立式裝爐方式，可有效的減少大量的開裂，克服了現有技術中干燥時，收縮出現的裂紋。本發明可大批量制備大尺寸碳化硅陶瓷板材，保證其平面度的情況下，克服了現有技術中成型干燥燒結等過程的出現的問題。
43 一種先驅體轉化碳化硅陶瓷及其制備方法
原料通過共混無壓燒結進行制備：60%?80%的碳化硅陶瓷粉以及20%?40%的碳化硅陶瓷先驅體。一般的碳化硅陶瓷材料均采用加壓成型燒結或熱壓燒結進行，加壓壓力大燒結溫度高，對設備的要求較高，工藝復雜成本昂貴。相比較傳統碳化硅陶瓷制備方法，本發明工藝簡單，燒結溫度低，對設備要求低，成本低廉。
44 一種石墨烯增韌碳化硅陶瓷的制備方法
步驟：(A)將碳化硅粉體、石墨烯粉體、燒結助劑和溶劑混合后粉碎以制備碳化硅漿料；(B)將碳化硅漿料干燥、粉碎后過篩，制備混合均勻的復合粉體；(C)將復合粉體裝入模具中，施加單向壓力以得到復合粉體壓坯；(D)將裝有復合粉體壓坯的模具放入燒結爐中，在真空環境下爐溫升至溫度T1后，進行升溫加壓?降溫無壓的循環燒結工藝以制備石墨烯增韌碳化硅陶瓷。利用高溫加壓?低溫無壓的真空循環燒結技術，有效地解決了現有技術中燒結溫度高、致密化速度慢、致密度低的問題，在較低的溫度下快速地獲得致密度更高的石墨烯增韌碳化硅陶瓷。
45 一種具有低溫愈合裂紋能力的陶瓷材料及其制備方法
如下：SiC和Al2O3的混合物：60～80％，TiB2：10～20％，助熔劑：10～20％；按比例稱取SiC、Al2O3、TiB2和助溶劑，加入溶劑，濕法球磨5～7h得到球磨液；所得球磨液真空干燥后經100～120目篩過篩，得到混合粉料；所得混合粉料裝入模具中，經冷壓成型后放入放電等離子燒結爐中進行放電等離子燒結或熱壓爐中熱壓燒結；通過在陶瓷材料基體中添加TiB2來實現材料裂紋愈合的功能，采用的愈合劑TiB2在較低溫度下便可以與氧氣發生反應生成可以愈合裂紋的TiO2和B2O3，在較短的時間內抗彎強度可以恢復到的80％以上，提高了陶瓷材料的使用壽命，加入的玻璃粉也可以降低燒結溫度。
46 一種原位生成堇青石結合SiC的太陽能吸儲熱球形陶瓷及其制備方法
太陽能吸儲熱球形陶瓷的原料包含如下按質量百分比計的組分：SiC粉60％～80％、黑剛玉粉5％～15％、滑石粉5％～15％、高嶺土粉3％～5％、氧化鋁粉1％～5％、添加劑3％～10％。將原料通過球磨機混料30～60min，加入5％～10％水造粒后陳腐24～48h，得到坯料，加入成球劑通過成球機成球，球形坯體干燥后再通過燒成，太陽能吸儲熱球形陶瓷，其具有高儲熱密度、高太陽光吸收率、高熱導率等特點。
47 一種各向異性的碳化硅導電陶瓷及其制備方法
各向異性的碳化硅導電陶瓷包括：SiC基體、以及分散在基體中的石墨烯納米片和燒結助劑；按質量分數100wt%計，所述SiC基體的質量分數為90.5～96.4wt%，GNPs的質量分數為2～8wt%，余量為燒結助劑。
48 采用放電等離子燒結制備氮摻雜導電碳化硅陶瓷的方法
步驟：1)球磨混料：在氧化鋯球磨罐中用氧化鋯球對氧化鋁、氧化釔和碳化硅粉末進行濕法球磨；2)粉末干燥與裝配：2.1)球磨后的混合粉末進行過濾篩分，倒入玻璃容器內，然后置于干燥箱中于50～70℃下干燥6h，干燥以后的粉末再用研缽進行手工粉碎；2.2)將混合干燥以后的粉末進行裝配，裝配容器包括石墨模具和石墨壓頭；2.3)采用壓片機對裝配好后的粉末進行預壓；3)高溫燒結：將預壓后的粉末置于放電等離子燒結爐中進行高溫燒結。采用放電等離子燒結方法，不僅在較短時間內便可制備出低電阻率和力學性能優良的碳化硅陶瓷，并且可以實現電阻率的精確調控。
49 一種碳化硅陶瓷管制備方法
高致密性，高加工精度的碳化硅陶瓷管制備方法。碳化硅陶瓷管制品組織均勻、具有高致密性，高同軸度。制備方法步驟包括：(1)配置粉末(2)裝置調整(3)粉末裝填(4)冷等靜壓成型(5)抽芯截邊整理(6)高溫燒結。解決了碳化硅陶瓷管的加工變形問題，所制碳化硅陶瓷管適用于核工業等高精度環境。
50 一種自增強碳化硅陶瓷材料的制備方法
如下：按質量百分比α?SiC粉體：β?SiC粉體：B4C粉體：炭＝(92％?94％)：(1％?3％)：(1％?3％)：(2％?4％)，稱取α?SiC粉體、β?SiC粉體、B4C粉體和炭；原料經混勻干燥過篩后，壓制成型，獲得素坯；將素坯置于真空管式爐中，進行碳化處理，碳化溫度為600?900℃；碳化后試樣經無壓燒結后，冷卻，制得自增強碳化硅陶瓷材料。該方法通過向α?SiC粉體中復配不同粒徑尺寸的β?SiC粉體，以制備出具有高密度，高強度，高硬度且組織均勻的固相無壓燒結碳化硅陶瓷材料，提高無壓燒結碳化硅陶瓷材料的綜合性能。
51 一種碳化硅泡沫陶瓷及其制備方法
步驟：S1，將碳化硅粉體、氧化鋁粉體、聚乙烯醇、硅溶膠、聚丙烯酰胺、羧甲基纖維素鈉，攪拌均勻，球磨處理，最后加入正丁醇，得到陶瓷漿料；S2，將聚氨酯泡沫模板進行預處理后浸入陶瓷漿料；再將聚氨酯泡沫模板干燥，得到陶瓷坯體；S3，將陶瓷坯體進行預燒結處理，得到陶瓷預燒體；S4，將二乙烯基苯、自由基引發劑、晶硅切割粉混合，超聲處理，得到硅粉懸浮液；S5，將陶瓷預燒體浸入硅粉懸浮液中，在真空環境保持55～65min，取出陶瓷預燒體于90～110℃中干燥1.5～2.5h，進行表面交聯固化反應，得到固化產物；S6，將固化產物進行高溫燒結，即得所述的碳化硅泡沫陶瓷。該碳化硅泡沫陶瓷的機械性能好。
52 一種利用粉石英加工碳化硅重結晶燒結高純陶瓷磨料的方法
將粉石英、石墨粉按重量比1:0.7混合均勻，通過焙燒爐中進行加熱至1700?1800℃，保溫進行碳化生成立方碳化硅粉體；然后將步驟一的碳化硅粉體和未反應的粉石英及石墨粉混合物再次進行攪拌混合，混合均勻后，再放入石墨化爐中進行加熱，加熱至2900?3000℃，保溫進行重結晶燒結生成碳化硅顆粒；然后清洗、干燥、破碎并分級得到碳化硅磨料。利用粉石英與石墨混合進行碳化來合成碳化硅粉體，然后再通過對碳化硅粉體與粉石英及石墨粉混合再進行重結晶燒結，制作成高純碳化硅陶瓷磨料，可以極大的提高碳化硅陶瓷磨料的硬度和強度。
53 耐腐蝕碳化硅陶瓷制備方法及其應用
旨在解決目前氧化鋁生產中耐腐蝕碳化硅陶瓷燒結工藝復雜、成本高的技術問題的技術問題。制備方法為：取α?SiC微粉85～90份、β?SiC微粉5～9份、燒結助劑1～1.2份、分散劑3.5～5份、粘結劑0.3～0.5份，混合得研磨混合料；將所述研磨混合料球磨得漿料；將所述漿料噴霧干燥，造粒；將所述造粒所得的粉料無壓燒結；并將所述的耐腐蝕碳化硅陶瓷制備方法制得的材料在氧化鋁生產中應用。制備方法成本低、操作簡單；不產生二次污染，無廢氣、廢液及廢氣排放，對環境友好，適合大規模生產。
54 一種玻璃熱彎成型用陶瓷模具及其制備方法
通過該原料制備獲得的陶瓷模具，具有優異的抗氧化性能，較高且易于機械加工的硬度，耐磨損性能優異，使用壽命為石墨材料的3～5倍，并且具有較佳的致密性。該制備方法包括將上述玻璃熱彎成型用陶瓷模具的原料混合均勻成混合料，干燥混合料，壓制成型并燒結。采用特定的燒結工藝對壓制成型的坯料進行燒結，制得產品在400～1100℃條件下與玻璃不浸潤，抗氧化性能優異，硬度高，易于機械加工，耐磨損性能優異。
55 一種SiC陶瓷結構件及其制備方法
首先選擇合適的顆粒級配混合均勻粉末后打印成型，通過冷等靜壓技術處理陶瓷坯體，使得陶瓷坯體中的粉末顆粒排列更為緊密，提高陶瓷坯體的致密度；再通過滲硅反應燒結，使得單質硅與單質碳顆粒在燒結過程中形成SiC，減少了試件中單質硅的存在，反應生成的SiC使得試件的致密度進一步提高，降低了試件的孔隙率，提升試件的力學性能；該方法首次在3D打印SiC陶瓷時，將C粉作為原料之一并調整C粉和SiC粉的顆粒級配，為后續的冷等靜壓和反應燒結做準備。制得的結構件密度為3.01～3.11g/cm3，彎曲強度為290～330MPa。
56 一種碳化硅陶瓷制品及其制備方法
包括骨料、粉料和結合劑，骨料與粉料按下述重量份配置而成：骨料與粉料的重量配比為：骨料∶粉料=55～65∶35～45；骨料為碳化硅顆粒；粉料為堇青石細粉、氧化鋁細粉和金屬鋁粉；粉料的重量配比為：堇青石細粉∶氧化鋁細粉：金屬鋁粉=70~80∶20~30∶2~5；結合劑為水溶性環氧樹脂、水溶性酚醛樹脂、水溶性呋喃樹脂中的任意一種或兩種組合，結合劑的加入量為骨料、粉料總重量的2～4%；通過原料配比、漿料制備、成型和高溫燒成步驟制備而成；所制備的陶瓷制品既具有碳化硅優良的高溫性能，同時也具有非常優良的熱震穩定性，能夠有效地提高碳化硅窯具制品的使用壽命。
57 一種無壓燒結碳化硅防彈陶瓷及其制備方法
在制備工藝上采用封閉式濕法連續研磨方式，減小了研磨過程中的原料污染，采用自制碳化硅球作為研磨介質，實現無污染研磨，降低了粉體提純的難度，采用霧化造粒配方與工藝，使造粒粉的技術指標達到進口同類產品的技術要求，采用工藝制備的碳化硅防彈陶瓷韌性好，強度高。
58 一種高強度陶瓷制品及其制備方法
包括陶瓷素坯和施加在所述陶瓷素坯表面的透明陶瓷釉，陶瓷素坯的原料包括以下重量份的組分：碳化硅45～70份、白云石8～15份、氧化鋁1～5份、長石16～40份、石英7～18份、高嶺土20～40份、方解石5～16份、硼化鑭1～5份、氧化鈦0.3～2.5份、二硒化鈮0.1～1.2份、水5～35份。該陶瓷制品具有較佳的機械強度、抗龜裂性能和耐磨性能，因而其陶瓷本體強度高、抗摔性能強。且制備方法簡單，易于大規模生產。
59 一種改性木質基碳化硅陶瓷材料的制備方法
分別稱量一定質量的木粉、硅粉、環氧樹脂，稱量后計算總質量，待用；稱量一定質量的氧化石墨烯，氧化石墨烯的質量為所述的總質量的1～5％，將稱量好的氧化石墨烯與步驟1稱量的木粉、硅粉、環氧樹脂混合，攪拌均勻后，置于烘箱中干燥，得到第一混合物，待用；將第一混合物，分別進行預熱壓或烘干處理，處理后得到的樣品在氮氣的保護下，程序控溫進行燒結反應，反應后制得改性木質基碳化硅陶瓷材料。操作方法簡便，具備更小的質量變化率、更好的耐腐蝕性、吸附性能、導電性能。
60 一種渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件的制備方法
渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件的制備方法以碳化硅為主要原料，并引入D50＆lt;0.5μm改性金屬硅粉；改性金屬硅粉與碳化硅的加入量為1~10%：90%~99%；與結合劑和水混成澆注料后，注入模具振動澆注成型，經養護、烘干后燒成制得制品。節能降耗效果明顯，最大限度實現材料本身的高耐磨性，提高渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件的全生命周期服役能力；該渣漿泵用氮化物結合碳化硅耐磨陶瓷件經過高溫燒成，不受使用環境溫度的限制。
61 一種細粉碳化硅陶瓷及其制備方法
以晶硅片切割刃料尾料細粉為細粉原料反應燒結碳化硅陶瓷，極大降低了制備成本，原料粉體通過化學法除雜，在混料機內將原料碳化硅細粉、炭黑、分散劑、減水劑和分散介質混合均勻，注漿成型后烘干，最后高溫滲硅，制備出性能優異的細化碳化硅陶瓷。工藝簡單，以成本極低的晶硅片切割刃料尾料細粉為細粉原料反應燒結SiC陶瓷，極大降低了制備成本，制得的細粉碳化硅陶瓷機械性能好，致密度高，具有比普通SiC陶瓷具有更高的強度和硬度等優異的性能，具有十分廣闊的市場空間和良好的經濟及社會效益。
62 一種高性能的碳化硅陶瓷材料低溫燒結方法
步驟如下：制備燒結助劑，所述燒結助劑由鋅粉、氟硅酸鋅和硼鋁酸鍶組成；稱取碳化硅和燒結助劑，球磨混合獲，然后進行負壓蒸干后，粉碎，過篩，并模壓成型，獲得坯體；將坯體送入氣氛燒結爐中，升溫至460?470℃，保溫2?3h，然后向氣氛燒結爐內通入空氣，升溫至1720?1740℃，保溫2?3h，隨爐冷卻后，即可。本發明制備的碳化硅陶瓷材料致密度良好，且具有良好的抗彎強度，燒結溫度低，降低了制造過程中的能耗，能夠滿足市場需求，具有廣闊的市場前景。
63 一種常壓固相燒結碳化硅陶瓷3D打印線材及其制備方法和應用
包括：(1)將碳化硅陶瓷粉體、含硼燒結助劑、碳燒結助劑、分散劑和溶劑混合，得到混合漿料；(2)將所得混合漿料經過烘干或噴霧干燥，得到混合粉體；(3)將所得混合粉體中加入塑性成型劑，攪拌混合均勻后，然后在180～250℃高溫混合12～24h，得到泥料；(4)根據所述塑性成型劑的特性，設置加熱溫度和擠出溫度，擠出成型，得到常壓固相燒結碳化硅陶瓷3D打印用陶瓷線材。
64 高精度可光固化打印碳化硅陶瓷漿料及制備方法、制備碳化硅陶瓷制品的方法
采用可控氧化包覆法制備SiC@SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;微納復合粉末，將SiC@SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;微納復合粉末與光敏樹脂、碳源樹脂和預聚物樹脂和光引發劑和分散劑后得到碳化硅陶瓷漿料。將打印的SiC@SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;陶瓷坯體采用兩步燒結方法，得到碳化硅陶瓷。成型的具有復雜結構的碳化硅坯體最小精度高達80μm，該數值與背景技術報道光固化碳化硅結構最小精度相比，提升至12.5倍。燒結方法既消除或減少引入的SiO＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;包覆層，又保證了碳化硅精細復雜結構的間隙不被明顯堵塞。
65 一種碳化硅陶瓷材料的制備方法及碳化硅多孔陶瓷燃燒器
方法包括提供多孔結構骨架，制備底層和面層漿料，掛漿及固化，熱處理等。設計特殊成分的3D打印料，采用3D打印的方式制備高精度的多孔骨架，并采用兩種成分的漿料分別進行底層掛漿固化和面層掛漿固化，底層與骨架結合性更好，面層具有良好的保護作用，使制備出的多孔碳化硅材料具有更好的耐高溫、抗熱震性、高熱導率的優勢，碳化硅陶瓷材料在70％孔隙率時，抗壓強度在35MPa以上，室溫導熱率達到45W/m·k以上；且強度高、抗裂性好，能夠延長使用壽命。波紋狀多孔碳化硅材料在燃燒器殼體中交錯堆疊，具有良好的抗熱震性，具有良好的實用價值。
66 一種碳化硅超細粉的改性方法及凝膠注無壓燒結制備碳化硅陶瓷的方法
依次通過砂磨的方式對碳化硅超細粉原料進行顆粒整形，整形后的碳化硅粉體漿料依次經離心、干燥后，得到干粉；再利用改性劑對干粉進一步表面改性，改性劑包括鄰苯二甲酸和四甲基氫氧化銨溶液中的至少一種；所得到的改性漿料經干燥處理后，得到改性碳化硅細粉。制得的改性碳化硅超細粉的漿料形式，即改性漿料，體積固含量能夠達到55%，且粘度低于1Pa.s，能夠滿足凝膠注成型對碳化硅漿料的需求。并且進一步將得到的改性漿料用于凝膠注無壓燒結制備碳化硅陶瓷中，實現了較好的制備效果。
67 一種碳化硅陶瓷產品及其制備方法和一種碳化硅陶瓷堝幫
將混合料注入模具后進行壓制，脫模得到坯體；將所得坯體順次進行低溫干燥和高溫干燥，得到干燥坯體；在真空條件下，將所得干燥坯體進行碳化，得到碳化坯體；向所得碳化坯體的中空位置撒上硅粉后，在真空條件下進行燒結，得到碳化硅陶瓷產品。碳化硅陶瓷產品可以為碳化硅陶瓷堝幫。本發明制備的碳化硅陶瓷堝幫在使用時不與硅蒸汽發生反應，同時具有較好的抗氧化性，可大幅度提升硅幫的使用壽命。
68 一種高導熱金剛石-碳化硅復相陶瓷的制備方法及散熱基板
包括將第一金剛石、第二金剛石、第三金剛石、粘結劑溶液混合、成型和冷等靜壓處理得到坯體，然后進行脫脂、滲硅處理得到金剛石?碳化硅復相陶瓷并制成散熱基板。技術方案提高了基體內金剛石含量和降低了游離硅含量，從而提高了金剛石?碳化硅復相陶瓷的綜合性能。
69 一種表面氧化修飾碳化硅粉的陶瓷漿料3D打印方法
通過物理改性的手段使顆粒氧化可以改變漿料的流變行為，降低粉體吸光度，提高粉體折射率，從而可以制備出高固相含量的漿料。之后將改性后的碳化硅粉與分散劑和光引發劑以恰當的比例制備出分散性較好的碳化硅陶瓷漿料。分散劑不僅合理的降低的漿料的粘度，也使碳化硅漿料分散的更加均勻，與選擇的光引發劑合理的復配使用，提高了漿料的固化深度，使得碳化硅陶瓷坯體的成品率提高。
70 一種無壓固相燒結壓制成型制備纖維增韌碳化硅陶瓷閥件的方法
包括：造粒粉的制備，短切碳纖維的解束，解束碳纖維包覆造粒粉，造粒粉混合，閥件成型、燒結和后加工處理。本發明制得的碳化硅陶瓷閥件韌性好，強度高，性能均勻性好，服役可靠性高；方法工藝簡單、生產成本低、生產效率高，適于產業化制備高性能的碳化硅陶瓷閥件。
高密度高強度石墨國內外研發現狀
美國POCO Graphite Inc 利用超細粉石墨材料在2500℃以上，壓力作用下的蠕變特性，成功開發再結晶石墨。再結晶石墨是在高溫高壓下使多晶石墨晶粒長大并走向排列而得到的高密度材料，石墨體內的缺陷(砂眼、裂紋等)消失，體積密度可達到1. 85-2.15g/cm3。
日本住友金屬公司用MCMB 成功研制體積密度1.98-2.00g/cm3高密度各向同性石墨。日本無機材料研究所在瀝青的苯不溶物添加蒽油和1， 2一苯并菲等高沸點有機化合物，加熱至350-600℃，制成粒徑>1-100 的MCVIB 在4MPa的成型壓力下成型，石墨化后得到高密度各向同性石墨。
揭斐川電氣公司用B階縮合稠芳多核芳烴(COPNA)樹脂為原料，在200 ℃模壓成型，固化后，再在400-500℃的條件下和非氧化性氣氛中熱壓處理，經過后續工作得到高石墨化、導熱性和導電性俱佳的高強高密(1. 85g/cm3) 石墨材料。
與發達國家相比還有很大差距
然而，盡管天然石墨是中國的優勢礦物資源，儲量、產量、國際貿易量均居世界前位，但中國的石墨產業布局嚴重畸形的局面卻亟待改變。民進中央長期調研發現，長期以來國內石墨產業礦產資源資料落后，生產品級劃分不嚴，浪費嚴重，基本上處于采選和初加工階段，技術嚴重落后，產品絕大部分為普通中高炭礦產品。值得注意的是，日、美等發達國家將天然石墨作為戰略資源，卻利用中國的廉價原料，深加工成能夠在電子、能源、環保、國防等領域應用的先進石墨材料，以極高的價格占領國際市場并返銷中國。
我國石墨主要出口國家分別是美國、日本、韓國、德國等，每年出口量占世界各國總出口量的80%以上。日本是全球最大的石墨進口國，其中98%從我國進口，美國天然鱗片石墨完全依靠進口，其中48%來自我國。我國石墨初級產品的出口國又恰恰是我國高附加值石墨產品的進口國。在我國大量出口石墨初級產品的同時，美、日、韓等發達國家卻早早把石墨列為戰略資源，嚴格控制開采，以采代購。
高純石墨 發展高附加值石墨制品的關鍵
中國生產的天然石墨產品中，絕大部分是最初級的加工產品。這些初級加工產品，都面臨著產能過剩的問題，而產能過剩又壓制了價格。伴隨初級產品出口為主，中國石墨的高附加值產品研發和生產則明顯缺失，隨著科學技術的不斷進步，高純微細石墨的用途越來越廣。普通的高碳石墨產品已不能滿足原子能，核工業的飛速發展急需大量的高純石墨。
據2011年不完全統計，中國高純石墨年需求量約為20萬噸左右。國外以其技術優勢在高純石墨方面占據領先地位，并在石墨高技術產品方面對中國進行禁運。目前中國高純石墨技術只能勉強達到純度99.95%，而99.99%乃至以上的純度只能全部依賴進口。2011年，中國天然石墨產量達到約80萬噸，均價約為4000元/噸，產值約為32億元。目前，進口99.99%以上高純石墨的價格超過20萬元/噸。其進出口由于技術壁壘導致的價差非常驚人。
加強技術研發，提高產品質量
高密度高強度石墨較傳統石墨除了具有高密度，高強度的強度外，還具有良好的熱穩定性。良好的熱穩定性是使石墨高溫使用中抗氧化性能大幅度提高，特別在模具行業，比傳統石墨可延長20-50% 的壽命。
對于中國石墨行業而言，技術進步是其發展的重心和關鍵。許多國家，尤其是一些發達國家，不斷致力于提高技術水平來開發石墨新產品和新用途，甚至由于多年積累，已經形成寡頭壟斷的態勢。例如氟化石墨主要由美、日、俄生產；膨脹石墨主要由美、日、德、法等國壟斷；其中高純膨脹石墨只有日本生產。
近幾年，我國涌現出許多石墨新技術和優秀科技成果，高純石墨材料開發與應用取得了可喜的進步。只有不斷依靠技術創新提高企業核心競爭力作為生存發展之道，不斷培育技術人才，加大科技投入，提高科技轉化、創新能力，才是石墨企業發展的根本。 為幫助國內石墨生產企業提高產品質量，發展高端產品，我們特收集整理精選了本專集資料。
? 石墨提純 現有工藝存在缺陷
?? ? 隨著技術的不斷發展，通過選礦工藝得到的鱗片狀高碳石墨產品己不能滿足某些高新行業的要求，因此需要進一步提高石墨的純度。目前，國內外提純石墨的方法主要有浮選法、酸堿法、氫氟酸法、氯化焙燒法、高溫法等。其中，酸堿法、氫氟酸法與氯化焙燒法屬于化學提純法，高溫提純法屬于物理提純法。
1、 浮選法：是利用石墨的可浮性對石墨進行富集提純，適應于可浮性好的天然鱗片狀石墨，石墨原礦經浮選后最終精礦品位通常為90%左右，有時可達94%~95% 。使用此法提純石墨只能使石墨的品位得到有限的提高，是因為部分硅酸鹽礦物和鉀、鈉、鈣、鎂、鋁等化合物里極細粒狀浸染在石墨鱗片中，即使細磨也不能完全單體解離，所以采用選礦方法難以徹底除去這部分雜質。
2、 酸堿法：是當今我國高純石墨廠家中應用最廣泛的方法，其原理是將NaOH與石墨按照一定的比例混合均勻進行鍛燒，在500-700℃氯化焙燒法的高溫下石墨中的雜質如硅酸鹽、硅鋁酸鹽、石英等成分與氫氧化鈉發生化學反應，生成可溶性的硅酸鈉或酸溶性的硅鋁酸鈉，然后用水洗將其除去以達到脫硅的目的;另一部分雜質如金屬的氧化物等，經過堿熔后仍保留在石墨中，將脫硅后的產物用酸浸出，使其中的金屬氧化物轉化為可溶性的金屬鹽，而石墨中的碳酸鹽等雜質以及堿浸過程中形成的酸溶性化合物與酸反應后進入液相，再通過過濾、洗滌實現與石墨的分離，從而達到提純的目的。但是此種提純方法的缺點在于需要高溫鍛燒，設備腐蝕嚴重，石墨流失量大以及廢水污染嚴重，且難以生產碳含量99.9%及以上的高純石墨。
3、 氫氟酸提純法：是利用氫氟酸能與石墨中幾乎所有的雜質反應生成溶于水的化合物及揮發物，然后用水沖洗除去雜質化合物，從而達到提純的目的。使用氫氟酸法提純石墨，除雜效率高、能耗低，提純所得的石墨品位高、對石墨的性能影響小。但由于氫氟酸有劇毒和強腐蝕性，生產過程中必須有嚴格的安全防護措施，對于設備要求嚴格導致成本升高;另外氫氟酸法產生的廢水毒性和腐蝕性都很強，需要嚴格處理后才能排放，環保環節的投入又使氫氟酸法的成本大大增加，如污水處理稍不到位，會對環境造成巨大污染。
4、氯化焙燒法是將石墨礦石在一定高溫和特定的氣氛下焙燒，再通入氯氣進行化學反應，使石墨中的雜質進行氧化反應，生成熔沸點較低的氣相或凝聚物的氯化物及絡合物逸出，從而達到提純的目的。由于氯氣的毒性、嚴重腐蝕性和污染環境等因素，在一定程度上限制了氯化焙燒工藝的推廣應用。
5、高溫法提純石墨，是因為石墨是自然界中熔點、沸點最高的物質之一，熔點為3850 士50℃，沸點為4500℃，遠高于所含雜質的熔沸點，它的這一特性正是高溫法提純石墨的理論基礎。將石墨粉直接裝入石墨士甘鍋，在通入惰性保護氣體和少量氟利昂氣體的純化爐中加熱到2300~3000℃，保持一段時間，石墨中的雜質因氣化而溢出，從而實現石墨的提純。雖然高溫法能夠生產99.99%以上的超高純石墨，但因鍛燒溫度極高，須專門設計建造高溫爐，設備昂貴、投資巨大，對電力口熱技術要求嚴格，需隔絕空氣，否則石墨在熱空氣中升溫到450℃時就開始被氧化，溫度越高，石墨的損失就越大。這種設備的熱效率不高，電耗極大，電費高昂也使這種方法的應用范圍極為有限，只有對石墨質量要求非常高的特殊行業(如國防、航天等)才采用高溫法小批量生產高純石墨。
（二） 低能耗石墨提純技術 國內最新研制
??? 據恒志信網消息：針對石墨提純現有技術存在的問題。武漢工程大學研制成功一種對天然石墨進行高純度提純的方法及裝置。該方法能耗低，所得到的石墨的純度高，其裝置簡單。
與現有技術相比，新工藝的有益效果是:
1、工藝新穎、裝置簡單、能耗低、升溫迅速，是采用等離子體炬加熱技術，利用熱等離子體局部超過4000℃的高溫，使石墨原料中的雜質在短時間內充分氣化，實現提純石墨目的，可以實現石墨的連續提純。
2、原理與現行高溫提純法一致，但由于是將石墨粉直接送入具有極高溫度的等離子體焰流中直接加熱，因此熱利用率極高。而采用現有高溫爐提純，熱能除了加熱物料外更多的是在加熱爐體，并被散發到環境中。
3、采用新技術工藝，石墨的純度高(碳質量含量≥98.7%)。初始碳質量含量90% 、粒度100目的石墨，經過一次提純后碳質量含量98.7% ;經過第二次提純碳質量含量99.5% 經過第三次提純碳質量含量99.9%;如再經過幾次循環石墨提純到碳質量含量99.99%。
資料中詳細描述石墨提純的方法及其裝置，其能耗遠低于現行高溫提純法。石墨的純度高，裝置簡單。
（三）天然隱晶質石墨(礦)剝離提純方法
天然隱晶質石墨是我國的優勢礦產資源之一，主要用于鑄造、石墨電極、電池碳棒、耐火材料、鉛筆和增碳劑等方面。隱晶質石墨晶體極小，石墨顆粒嵌于粘土中，很難分離。由于隱晶質石墨原礦品位高(一般含碳60%-80%)，部分可達95%，平均粒徑。.01-0.1μm，用肉眼很難辨別，故稱隱晶質石墨，俗稱土狀石墨。與鱗片石墨相比，土狀石墨碳含量高，灰分多，晶粒小，提純技術難度大，使其應用范圍受到極大限制。在我國，通常都是將開采出來的石墨礦石經過簡單子選后，直接粉碎成產品出售。因此天然隱晶質石墨資源得不到充分的利用，甚至盲目出口，造成資源的浪費。鑒于天然隱晶質石墨的技術含量和附加值極低，而我國市場需要的高純超細石墨則多數依賴進口，開展天然隱晶質石墨的提純新方法尤為緊迫。
據恒志信網消息：湖南大學最新研制成功天然隱晶質石墨的提純新方法，解決了現有技術中天然石墨礦，特別是隱晶質石墨提純技術難度大、成本高、污染大、資源浪費嚴重的問題，適用于不同品味、不同礦質的天然石墨的提純，且成本低，環境污染小，低能耗，簡單易行，具有廣泛的應用前景。
天然隱晶質石墨的提純新方法具有如下優點:
1、新技術所采用的插層劑原料價格低，可循環使用或回收利用。
2、新技術對石墨結構無明顯破壞，也不會產生明顯缺陷，對大尺寸鱗片石墨具有保護作用。
3、新技術所生產的產品多元化(高碳石墨、高純石墨、石墨烯和石墨烯納米片) ，可根據市場需求調整產品結構。
4、新技術可在現有石墨浮邊生產線上增添一定工藝設備進行實施，工藝簡單，設備要求低，條件溫和，成本低。
5、新技術不使用酸和堿，污染物產生少，對環境友好。
6、新技術適用于不同的固定碳含量的天然石墨礦，也可用于與輝鉬礦的剝離提純。
技術指標:原料:高碳隱晶質石墨粉(固定碳含量為43.2% 200目)
成品:高純石墨(碳含量99.95% )，石墨回收率72% 。
? 【資料描述】
? ???資料中詳細描述了天然隱晶質石墨的提純新方法、礦漿液調制方法、超聲剝離的礦漿液、浮選、提純等等步驟、以及生產實施例等等。
純度≥99.999% 天然石墨高溫提純新技術
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?? 【石墨高溫提純技術背景】
石墨作為工業原料，尤其在一些特殊行業以及原子能工業、汽車工業、航天技術、生物技術等高新技術工業，不但對石墨的碳含量要求極高，同時也要求在石墨的成分中不能含有過多的微量元素，必須是99.9%以上的高純度石墨，然而現在一般的天然石墨含碳量均無法滿足這些行業對高純度石墨的要求，目前對天然石墨采取的提純法仍是利用石墨的耐高溫的性能，從而使用高溫電熱法提高石墨純度，由于此工藝復雜，需要建設大型電爐，電力資源浪費嚴重，同時需要不斷通入惰性氣體，造成成本高昂。尤其重要一點，是當石墨純度達到99.93%時，己達到極限，無法使石墨的固定碳含量繼續提高。目前對于氯氣提純尚未形成工業化生產。
現有技術存在工藝復雜、對原料的顆粒選擇過大等缺點。國內外有采用高溫提純天然鱗片石墨，即將天然石墨裝入己石墨化過的石墨士甘塌內進行石墨化提純，利用石墨士甘鍋具有良好的導電、導熱以及耐高溫特性，石墨灰粉2700℃度以上高溫氣化逸出，該方法能將純度提高至99.99% 以上，但高溫石墨純化存在純化時間長、工藝流程復雜、要求較高的溫度同時嚴重浪費電力資源，然而化學提純石墨的方法由于工藝落后，對于小顆粒的石墨不能較好的回收，對環境造成污染，并且純度亦不能滿足市場對產品的需求。
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? 【高純度天然石墨的提純新方法 研制成功】
??? 據恒志信網消息：針對上述現有技術存在的問題中。國內新研制成功一種純度高、工藝簡單、節省電力資源、利于石墨回收的高純度天然石墨的提純方法。是采用高溫提純石墨的方法，經過高溫反應、化學提純、洗滌、脫水后獲得高純度的石墨，利用氧化劑、絡合劑與天然石墨進行反應，去除原料中雜質，得到微量元素含量低，性能穩定的石墨。新工藝對含碳量>60%的石墨原料進行純化，得到純度大于99.9991%，灰粉<1PPM,微量元素<0.5PPM的石墨，具有工藝簡單，易于操作，生產效率高，耗電量低，不需要大型的加工設備，節約生產成本。
? 【新技術優點】
在石墨提純工藝中均采用化學提純或氧化提純工藝，對于6000目以上的天然石墨則提純的純度很難達到99.9以上。
1、新提純工藝利用氧化劑和絡合劑與天然石墨原料進行化學反應，去除原料中Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205、CuO 等雜質，從而生產出微量元素含量低，性能穩定的產品。而現有國內石墨提純工藝中均采用化學提純或氧化提純工藝，對于6000目以上的天然石墨則提純的純度很難達到99.9以上。
2、目前國內大多在提純過程中采用自來水用于石墨的提純工藝中，由于一般的水質中均含有Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+等離子物質，不利于去除石墨中本身所含有的Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205 、CuO等雜質，新技術方案的工藝中采用經過離子交換樹脂處理過的不含Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+等雜質離子的純水，更好的去除石墨中所含有的Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+ 等雜質離子，同時可以使石墨中的pH 值達到6.4-6.9 。從而得到純度高達99.999% 以上，灰粉<1PPM，微量元素<0.5PPM的石墨。
3、新技術方案工藝中將反應釜內的溫度加熱至85-90℃，可以是石墨與所加入的氫氟酸、鹽酸、硝酸和乙二胺四乙酸與石墨中的所含的Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+等雜質離子能夠進行充分的化學反應，通過洗滌、脫水后，去除石墨中含有的Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205、CuO等雜質，新技術方案中所選用的溫度范圍，并按照所述的溫度范圍進行提純，能夠使提純達到最佳效果。絡合劑具有分散、懸浮作用和很強的絡合能力，在較小用量甚至極小用量就能達到需要的絡合程度，絡合劑還能有Ca2+、Mg2+等金屬離子發生絡合，形成金屬絡合物，從而達到去除金屬離子的目的。
4、新技術方案工藝中加入的絡合劑能是絡合劑與石墨中的Ca2+、Mg2+等離子發生絡合，形成金屬絡合物，通過洗滌、脫水去除石墨中含有的Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205、CuO等雜質，技術方案選用合適的絡合劑，并按照所述的比例加入進行提純夠進一步提高純化的效果.
5、新技術工藝可對粒度為100-10000目，含碳量>60% 的石墨原料進行純化，得到純度為99.999% 的石墨成品，具有工藝簡單，易于操作，反應時間短，生產效率高，耗電量低，在提純過程中不需要大型的加工設備，節約生產成本。所得產品可應用于電子工業、國防尖端工業、化學分析工業、核工業、航天工業等高科技領域。
【高純度天然石墨的提純方法】部分摘要
??? 提純步驟為:
????步驟一、取含碳量>60% 的石墨400公斤，放入反應釜Ⅰ內，按石墨的重量百分比依次加入30公斤乙二胺四乙酸、50公斤氫氟酸（濃度40%）、2公斤硝酸（濃度98%）。鹽酸（濃度30%），后加入100L水，開機攪拌，轉速200轉/分鐘，攪拌時間20分鐘;
????步驟二、升溫反應，開啟反應釜上溫控裝置，使反應釜內的溫度升至85℃，反應4小時，反應過程中每隔50分鐘攪拌一次，每次攪拌時間3分鐘，攪拌速度200轉/分鐘，反應完成后，再靜置3小時，靜置完成后排出反應釜內尾氣，制得混合料漿A;
????步驟三、將混合料漿A 置入冷卻塔Ⅱ內，向冷卻塔Ⅱ內注入重量為混合料漿A兩倍量的純水，形成混合料漿A-2，邊注水邊攪拌，攪拌速度200轉/分鐘，攪拌至冷卻塔II內的溫度降至35℃止，完成降溫后，打開冷卻塔II 的放料閥，將混合料漿A-2 置入洗滌器Ⅲ內;
????步驟四、將混合料漿A-2置入洗滌器Ⅲ中后，向洗滌器Ⅲ中注入純水，邊注水邊洗滌，洗滌器Ⅲ的洗滌轉速500轉/分鐘，洗滌至混合料漿A-2 的pH值呈6.4止，后將洗滌器III的轉速設置為1000轉/分鐘，進行離心脫水，脫水至混合料漿A-2的含水量為20%止，停止脫水，制得混合料漿B;
????步驟五、混合料漿B 重新放入反應釜Ⅰ內，按石墨重量百分比加入80公斤硫酸（濃度98%）、40公斤氫氟酸（濃度40%），然后加入純水100L，攪拌20分鐘，攪拌速度為200轉/分鐘;
????步驟六、第二次升溫反應，開啟反應釜Ⅰ的溫控裝置，使反應釜Ⅰ內的溫度升至85℃，反應2小時，反應過程中每隔1小時進行一次攪拌，每次攪拌時間3分鐘，每次攪拌速度為200轉/分鐘，反應結束后，關閉電源，打開反應釜I 上的尾氣排放閥，將反應釜I內的廢氣排出，制得混合料漿C;
步驟七、 步驟八、步驟九、步驟十、步驟十一、步驟十二
...............略 詳細步驟請見本資料專集
步驟十三、將脫水后的混合料漿H 送至烘干設備上烘干，烘干溫度為150-350 ℃，烘干后的含水量<0.1% ，碳含量為99.9991% -99.9995%，制得產品;
? 【資料描述】
????資料中詳細描述了高純度天然石墨的提純技術的制備方法、現有技術所存在的問題，性能和優點、實施例等等。
北京恒志信科????技發展有限公?司
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