《單級型場效應晶體管制造工藝技術精選》
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點， 而且在集成電路中占用面積小、制造工藝簡單。所以在模擬和數字集成電路，特別是大規模和超大規模集成電路.。現代單極型場效應晶體管，尤其是MOSFET，因其優異的性能和廣泛的應用，成為了電子設備中的關鍵組件。MOSFET具有高輸入阻抗、低功耗和良好的熱穩定性等特點，使其在集成電路中得到了廣泛應用。隨著技術的進步，未來的單極型場效應晶體管可能會進一步優化其性能，提高集成度和降低功耗，以適應更復雜和高效的電子系統需求。
本篇是為了配合國家產業政策向廣大企業、科研院校提供單級型場效應晶體管制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現有技術問題及解決方案、產品生產工藝、配方、產品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發、參與市場競爭的必備工具。
本篇系列匯編資料分為為精裝合訂本和光盤版，內容相同，用戶可根據自己需求購買。
雙極性晶體管（BJT）的改進
（一）優化晶片及結構設計?：通過縮小晶片尺寸、增加漏結容量和縮小發射結容量來提高響應速度。此外，引入反相多晶硅互補柵極等方式可以提高晶體管的線性性?。
（二）改善載流子遷移率?：載流子遷移率直接影響晶體管的高頻響應能力。通過摻雜淺表層、采用稀磷硼摻雜等方式可以提高載流子的遷移率，從而增強晶體管的頻率響應能力?。
（三）降低雜散電容?：雜散電容對高頻信號放大器的高頻特性有直接影響。通過增加微細線間距、縮小集電結面積等措施可以降低雜散電容。在制造過程中，采用特殊的摻雜工藝或多層金屬制造工藝也能有效降低雜散電容的影響?。
（四）采用高電子遷移率器件?：使用高電子遷移率器件可以提高晶體管的高頻性能?。
（五）優化封裝形式?：通過優化封裝形式，可以進一步改善晶體管的高頻性能?。
本篇是為了配合國家產業政策向廣大企業、科研院校提供雙級場效應晶體管技術制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現有技術問題及解決方案、產品生產工藝、、產品性能測試，對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發、參與市場競爭的必備工具。
【資料內容】生產工藝、配方
【出品單位】國際新技術資料網
【資料頁數】899頁
【項目數量】60項
【資料合訂本】1680元(上、下冊)
【資料光盤版】1480元（PDF文檔）
目錄
1 一種雙極性晶體管結構制備方法
包括有源區，有源區具有：半導體層，具有第一表面，半導體層包括依次疊層的集電極層、基極層和發射極層；第一表面為發射極層背向基極層的表面；發射極臺階和發射極金屬依次設置在發射極層上；第一介質層，覆蓋發射極金屬的頂面并沿發射極金屬的側面延伸至覆蓋第一表面暴露于發射極金屬外的部分；第一介質層具有第一開口；第二介質層，覆蓋在第一介質層上；第二介質層具有與第一開口連通的第二開口；基極金屬，通過第一開口和第二開口連接至基極層；并延伸覆蓋第二介質層于第二開口相鄰的至少部分。提供的雙極性晶體管及其制備方法和射頻放大器能降低結電容、提升頻率特性。
2 一種雙異質結雙極性晶體管制備方法
雙異質結雙極性晶體管包括依次疊層設置的N型GaAs子集電極層、N型GaAs集電極層、P型基極層、N型GaInP發射極層、N型InGaAs接觸層，P型基極層為P型GaAs（1?x）Sbx，A，d1/GaAs，B，d2/GaAs（1?y）Sby，C，d3/GaAs，B，d2四層晶格層的多周期重復結構。采用該結構能將基極層的電子束縛在GaAs（1?x）Sbx層中，將基極層的空穴束縛在GaAs（1?y）Sby層中，中間有GaAs層間隔，有效實現電子和空穴在物理空間上的分離，減小它們在基區中的復合幾率，從而能有效提高集電極電流Ic，進而提高電流增益β值。
3 一種半導體器件、雙極型晶體管及其制備方法
所述雙極型晶體管包括：襯底，其上設有外延層；設于所述外延層中的發射區；沿所述發射區的外圍包覆所述發射區的基區；沿所述基區的外圍包覆所述基區的集電區；設于所述集電區內且與所述基區相接觸的若干外延區，所述外延區的摻雜濃度小于所述集電區的摻雜濃度且其導電類型與所述外延層的導電類型相同。本發明可方便地調節雙極型晶體管的放大系數。
4 一種鍺硅異質結雙極晶體管及其制造方法
涉及半導體器件及集成電路工藝設計和制造領域。能夠達到露出所述多晶硅外基區部分側壁從而為后續與鍺硅外延內基區同步生長的鍺硅連接基區騰出必要空間的目的，并實現能夠有效改善器件性能的凹陷鍺硅連接基區結構，且本申請提供的鍺硅異質結雙極晶體管可以采用工藝難度和復雜度相對較低的工藝步驟制造，規避了背景技術中采用的很難控制的利用底部狹縫“掏底”各向同性腐蝕氮化硅側墻的工藝步驟，從而可以有效改善相關集成電路工藝生產的重復性、均勻性、可控性和可生產性。
5 一種異質結雙極晶體管及電子裝置
異質結雙極晶體管包括集電極層、基極層和發射極層；基極層包括第一基極層、第二基極層和第三基極層；第一基極層位于第二基極層和集電極層之間；第三基極層位于第二基極層和發射極層之間；第二基極層的帶隙小于第一基極層的帶隙；第二基極層的帶隙小于第三基極層的帶隙；第三基極層的導帶與發射極層的導帶之差的絕對值，小于第二基極層的導帶與發射極層的導帶之差的絕對值。上述異質結雙極晶體管，可以減小HBT的開啟電壓，進而減小HBT的整體功耗。
6 一種雙極結型晶體管制備方法
包括至少一個元胞，元胞包括：集電極接觸區，集電極接觸區橫向中較長的方向為第一橫向方向，較短的方向為第二橫向方向；基極區；基極注入區，連接在基極區朝向集電極接觸區的一側；氧化物隔離區，形成在基極注入區和集電極接觸區之間；一個基極注入區對應至少兩個基極接觸區，每個基極接觸區位于基極注入區和氧化物隔離區之上，且基極接觸區中連接在氧化物隔離區之上的部分為第二連接部，各個基極接觸區沿第一橫向方向間隔設置在與之對應的基極注入區之上；第二連接部之上設置基極接觸孔；基極金屬，連接在各個基極接觸孔之上。解決了傳統的BJT的基極電阻較大的技術問題。
7 一種異質結雙極晶體管及其制備方法
射頻放大器和射頻模組。所述異質結雙極晶體管包括隔離區，所述隔離區具有襯底和疊設于所述襯底上的半導體層，所述隔離區還設置有集電極接觸層，所述襯底對應所述集電極接觸層設置有背孔，所述背孔內設置有與所述集電極接觸層電連接的第一金屬層，所述半導體層圍繞所述集電極接觸層設置有隔離槽，所述隔離槽的深度范圍為大于或等于所述半導體層厚度的二分之一。通過在半導體層上圍繞背孔對應的集電極接觸層設置隔離槽，通過隔離槽隔絕器件漏電的路徑，降低異質結雙極晶體管的器件漏電的風險，以提升異質結雙極晶體管的產品性能。
8 一種異質結雙極性晶體管的外延結構制備方法
包括P型GaAs基極層和位于P型GaAs基極層上的N型InGaP發射極層，所述P型GaAs基極層包括依次疊層設置的M層P型GaAs層，M為9～17的奇數；其中，在M層P型GaAs層中，位于奇數層的P型GaAs層為自摻C的P型GaAs材料層，位于偶數層的P型GaAs層為外摻C的P型GaAs材料層；在第1層至第M?1層P型GaAs層中，位于奇數層的自摻C的P型GaAs材料層與位于偶數層的外摻C的P型GaAs材料層的厚度比為(2～3)：1；位于第M層的自摻C的P型GaAs材料層的厚度為5nm～10nm。提供的異質結雙極性晶體管既能明顯提高電流增益值，又能保證電流增益值的優異熱穩定性。
9 一種基于雙極性WSe2的范德華異質結在制備可重構晶體管中的應用
基于雙極性WSe2和Ta2NiX5形成的范德華異質結，制備了可重構晶體管，利用底部柵極和源/漏偏壓的調控實現了基于二維范德華異質結的可重構器件的構建，可用于邏輯電路領域中，具有單柵極獨立調控、制備簡單、無需額外的光刻和刻蝕過程的特點。南京理工大學
10 一種鍺硅異質結雙極晶體管基區的選擇性外延方法
包括：在外延生長前，利用HCl氣體對圖形化襯底進行刻蝕預處理，抑制內基區窗口側壁邊緣的橫向生長，消除{111}刻面的產生；控制Si選擇性外延溫度在800℃～900℃，控制SiGe選擇性外延溫度在700℃～800℃，消除{311}刻面的產生；圖形化襯底包括：襯底以及淀積在襯底上面的氧化層、多晶硅外基區、氧化層、氮化硅或者二氧化硅；襯底設置有集電區、集電極引出區和淺槽隔離；淺槽隔離位于集電區和集電極引出區中間；在集電區上方開口形成發射極窗口，然后形成氮化硅或者二氧化硅側壁；在發射極窗口下開口，暴露出部分外基區多晶硅，該窗口用于形成鍺硅內基區。
11 一種光電共同調控混合隧道結雙極型晶體管制備方法
包括：襯底、設置于襯底上的第三N型氮化鎵層、設置于襯底上的第二P型氮化鎵層和發射極金屬接觸層、設置于第二P型氮化鎵層上的基極金屬接觸層和第一P型重摻雜氮化鎵層、依次設置于第一P型重摻雜氮化鎵層上的非故意摻雜氮化鎵銦極化層、第二N型重摻雜氮化鎵層、第一N型氮化鎵層，以及設置于第一N型氮化鎵層上的集電極金屬接觸層，通過設置隧道結，可以增強空穴注入，降低器件電阻，提高器件的響應速度。克服金屬有機化學氣相沉積法制備的工藝困難，通過分子束外延生長過程中引入氫的缺失，減低制造隧道結器件的工藝難度并提升器件性能。福州大學
12 一種高中低壓兼容的雙極結型晶體管及其制造方法
雙極結型晶體管包括P型襯底、N型一次埋層、P型一次穿透隔離、N型一次外延層、N型二次埋層、P型二次穿透隔離、N型一次穿透、N型二次外延層、N型三次埋層、P型三次穿透隔離、N型二次穿透、N型三次外延層、P型四次穿透隔離、N型三次穿透、P型一次體區、N型一次重摻區、P型二次體區、N型二次重摻區、P型三次體區、N型三次重摻區、預氧層、場氧層、TEOS金屬前介質層、發射極金屬、集電極金屬和基極金屬；方法包括提供P型襯底，生長氧化層等步驟。可以將高中低的耐壓以及不同特征頻率等特性的雙極結型晶體管集成整合到同一套工藝中，實現器件庫的多樣性。
13 一種電子器件包括雙極晶體管制備方法
雙極晶體管的集電極由第一和第二區域形成。第二區域位于第一區域和雙極晶體管的基極之間。導電元件至少部分地圍繞第二區域并與第二區域絕緣。導電元件位于第一區域和襯底之間。意法半導體國際公司
14 一種具有高增益的異質結雙極性晶體管及其制造工藝
R1、沉積形成發射極金屬；R2、蝕刻形成發射極臺階；R3、第一次離子植入；R4、沉積形成基極金屬；R5、蝕刻形成基極臺階；R6、第二次離子植入；R7、沉積形成集電極金屬。本發明通過使用兩次離子植入來調整基極臺階有效體積，使基極臺階有效體積小于實際體積，降低有效體積，cbc相應降低，提升了器件的射頻增益(gain)；同時維持較大的實際體積，可以避免軟膝點效應和熱效應；并且無需優化GaAs異質結雙極型晶體管的外延結構，即可提升器件的射頻增益。
15 一種雙異質結自驅動深紫外光電三極管制備方法
包括Al2O3襯底，在Al2O3襯底上制備p?GaN層，Al2O3襯底和p?GaN層組成p?GaN襯底，p?GaN襯底的上表面部分覆蓋ZnO納米網層，p?GaN襯底上設有第一電極，ZnO納米網層上設有第二電極，p?GaN層和ZnO納米網層形成PN結，作為集電結；所述ZnO納米網層為光電三極管基區，ZnO納米網層和第二電極形成肖特基結，作為發射結。利用三極管電流放大能力顯著提高了深紫外光電三極管的紫外光電響應能力和靈敏度，擁有自驅動工作能力，具有著低暗電流，高響應度的優勢，可以有效的探測弱紫外光信號。合肥工業大學
16 一種射頻器件、互補型異質結雙極型晶體管及其制備方法
包括從下到上依次設置的集電區、基區和發射區，還包括至少兩個用于引出集電區的集電極(C)以及交替分布在兩個集電極(C)之間的用于引出基區的基極(B)和用于引出發射區的發射極(E)，靠近集電極(C)的為基極(B)，所述基極(B)至少為2個，所述發射極(E)至少為1個；所述基極(B)下方具有用于減少基區與集電區的接觸面積的淺槽，從而降低寄生集電結電容。
17 一種鍺硅異質結雙極型晶體管及其制備方法
該制備方法包括：提供襯底；在所述襯底上依次生長集電極層和基極層，得到第一樣品；在所述第一樣品遠離所述襯底的表面制作一層碳量子點層，使得所述碳量子層與所述基極層形成原子級接觸；在所述碳量子點層的基礎上制作發射極層；在所述發射極層、碳量子點層、基極層和集電極層的基礎上制作絕緣層，并通過刻蝕由所述絕緣層引出對應的電極。本申請可有效提高異質結雙極型晶體管的性能。
18 一種異質結雙極晶體管及其制備方法
制備方法包括：提供一半導體裝置，在半導體裝置中，第一多晶硅層和介質層之間的鍺硅層表面形成有第二開口；采用高選擇比沉積工藝形成硬掩膜層，可以降低后續發射極在硬掩膜層表面的外延生長速率；接著對形成第二側墻之后的半導體結構進行預清潔處理，使暴露的鍺化硅表面能夠形成更多Si?H鍵，提高后續發射極在鍺化硅表面的外延生長速率；最后采用選擇性外延工藝并引入一定比例的刻蝕氣體在第二開口中形成發射極，可以進一步強化選擇性生長趨勢，使得多晶硅外延不會提前封口，使得單晶硅柱可以外延至第二開口的頂端，提高了發射極的晶格質量，降低了發射極的電阻、渡越時間和截止頻率。
19 一種異質結雙極晶體管制備方法
包括有源區，有源區內第一基極接觸金屬和第二基極接觸金屬分別設置在發射極接觸層的相對兩側且與發射極接觸層間隔設置，其中，第一基極接觸金屬與發射極接觸層之間的間隔距離為第一距離，第二基極接觸金屬與發射極接觸層之間的間隔距離為第二距離，第一距離與第二距離之差的絕對值小于等于100埃。提供的異質結雙極晶體管、集成異質結雙極晶體管及其制備方法，使得第一基極接觸金屬和第二基極接觸金屬到發射極接觸層直接的間隔距離較小，可提高HBT產品的可靠性。
20 一種異質結雙極晶體管外延片的制備方法
提供制備方法，在MOCVD設備中制備，生長基區之前將所述MOCVD設備的小盤支撐氣體變更為氫氣和氮氣，快速降溫20～30℃后進行基區生長；生長完基區后，將所述小盤支撐氣體變更為氬氣和氮氣，快速升溫20～30℃后生長發射層。本發明采用改變小盤支撐氣體的方式，快速改變外延片表面的溫度，外延片表面溫度如圖2所示，很好的實現了集電區與基區，基區與發射區溫度的快速轉變，即不影響基區外延層的質量，也不影響外延層界面的質量。
21 一種低噪聲SiGe雙極晶體管及其制造方法
雙極晶體管包括：襯底、設置在襯底上的外延層、設置在外延層中且位于外延層的頂部的基區、設置在基區中且位于基區的頂部的發射區，發射區中包括側墻復合結構，側墻復合結構的材料由氮化硅、氧化硅和多晶硅復合而成。通過將側墻結構中常用的氮化硅Spacer更改為氮化硅/氧化硅/多晶硅的側墻結構，降低了SiGe?HBT器件載流子在電流傳輸路徑上由于界面缺陷引起的載流子俘獲和釋放的幾率，進而有效抑制了載流子在輸運過程中與陷阱缺陷的隨機電報噪聲的產額，達到抑制器件低頻噪聲的作用。
22 一種制造硅雙極結晶體管裝置的方法
包括一系列步驟，所述一系列步驟包括：至少在裝置區上方沉積多晶硅層；在所述多晶硅層上方沉積電介質層；圖案化光致抗蝕劑層，且通過所述光致抗蝕劑層中的開口在所述電介質層和所述多晶硅層中蝕刻窗口；通過所述窗口蝕刻SiGe層堆疊以暴露其下的硅層；圖案化另一光致抗蝕劑層以至少暴露所述窗口；以及通過所述窗口通過離子注入摻雜所述硅層以形成基極區。還公開一種對應的BJT裝置。
23 一種槽柵雙極型晶體管制備方法
主要有兩點：一是采用耗盡柵對P?通道進行電導調控，配合N?存儲層在漂移區增強電導調制效應；二是柵極與耗盡柵之間通過可變電阻串聯，調節P?通道耗盡程度，起到對器件在短路工作時的保護作用。在器件阻斷狀態時，耗盡柵未對P?通道耗盡，P?通道處于高電導狀態，將P?阱與器件的發射極短接，從而消除了N?存儲層附近的電場尖峰。在器件處于導通狀態時，串聯在柵極于耗盡柵之間的可變電阻區阻值較大，故加在耗盡柵電極上的電壓接近于柵極電壓，使得P?通道被耗盡柵耗盡，P?阱處于浮空狀態且具有一定電勢，增強了器件的電導調制效應。因此，具有極低的功率損耗。電子科技大學
24 一種異質結雙極晶體管及其外延制備方法
在所述集電區和所述基區之間設置過渡層，P型摻雜的InGaAs過渡膜層采用脈沖金屬有機物化學氣相淀積法，在集電區表面生長得到。采用脈沖式金屬有機物化學氣相淀積法得到P型摻雜的InGaAs膜層，脈沖式生長方法采用反應源氣體間歇式通入的方式，可顯著降低半導體外延層缺陷密度；同時過渡層的晶格與基區晶格匹配，過渡層上得到的基區材料質量好且不改變基區的組分和摻雜，因此可獲得方阻低、增益大、截止頻率高的HBT外延片。且不改變原有基區的生長方式，制造成本低。
25 一種氧化鎵雙極性晶體管的生產制造工藝
包括：工作臺，封焊器，下料組件，還包括：封焊箱，固定連接在所述工作臺上表面；所述封焊器設置在封焊箱上方；滑動槽，開設在所述封焊箱內部；連接塊，通過滑動槽滑動連接在所述封焊箱內部；連接繩帶動連接端的連接塊相對移動，通過與配合桿之間的斜面配合，使得配合桿向外移動時，通過夾持板可對放置在封焊口內部的晶體管進行夾持處理，同時通過封焊器能夠對其進行封焊處理，使得裝置在晶體管封焊時，能夠對其起到夾持固定的作用，防止在封焊時，工作人員操作不當使得晶體管在焊接時發生偏移，導致焊接質量下降，從而使得生產制造質量下降的情況出現。
26 一種平面型雙極晶體管及包括其的電路
包括襯底，頂面為平面，以及在襯底頂面形成的功能區域；功能區域包括背景摻雜區域，摻雜第一類雜質，兩側對稱布置有基極摻雜區域和集電極摻雜區域；基極摻雜區域摻雜第一類雜質，為晶體管的基區；集電極摻雜區域摻雜第二類雜質，為晶體管的集電區，且與基極摻雜區域形成集電結；發射極摻雜區域摻雜第二類雜質，布置于基極摻雜區域內，為晶體管的發射區，且與基極摻雜區域形成集電結；四個區域的摻雜厚度相同。本發明在同一平面內摻雜實現平面型雙極晶體管，摻雜濃度在厚度方向上相同，極易與光波導結構在同一芯片上實現單片光電混合集成。浙江大學
27 一種異質結雙極型晶體管及其形成方法
結構包括：襯底；位于襯底上的第一集電層；位于第一集電層上的第一基層；位于第一基層上的發射層；位于發射層上的第二基層；位于第二基層上的第二集電層。第一集電層、第一基層和發射層構成一個三極管，第二集電層、第二基層和發射層也構成一個三極管，在垂直于襯底表面的方向上有兩個三極管，異質結雙極型晶體管的電流放大系數得到提升。
28 一種異質結雙極性晶體管制備方法
包括襯底和位于襯底上的HBT外延結構，所述HBT外延結構和所述襯底之間設置有Zn摻雜的AlGaAs/GaAs超晶格緩沖層。本發明的方案中，位于HBT外延結構和襯底之間的AlGaAs/GaAs超晶格緩沖層引入了一定量的Zn摻雜：一方面可以有效地提高AlGaAs/GaAs超晶格的禁帶寬度和降低遷移率，由此提高了緩沖層的電阻率，能夠隔離襯底寄生電容對HBT器件的影響，有效地提升了HBT器件的截止頻率特性；另一方面又可以優化緩沖層的外延生長條件，提高V/III摩爾比參數，獲得更好的緩沖層表面形貌，改善HBT整體外延結構的晶體質量。
29 具有非晶半導體區的異質結雙極晶體管制備方法
涉及半導體結構，更具體地說，涉及具有掩埋富陷阱區的異質結雙極晶體管(HBT)及其制造方法。該結構包括：異質結雙極晶體管，其包括集電極區、基極區和發射極區；以及至少一個非單晶半導體區，其位于異質結雙極晶體管的集電極區中。格芯（美國）集成電路科技有限公司
30 具有切割應力襯里的異質結雙極型晶體管，披露用于異質結雙極型晶體管的結構以及形成用于異質結雙極型晶體管的結構的方法
該結構包括發射極、集電極以及本征基極，該集電極包括第一片段、第二片段、以及沿第一方向設置于該第一片段與該第二片段間的第三片段，該本征基極沿第二方向設于該發射極與該集電極的該第三片段間。該結構還包括應力層，該應力層包括經設置以與該發射極、該本征基極、以及該集電極重疊的片段。該應力層的該片段由周緣圍繞，且該集電極的該第一及第二片段分別鄰近該應力層的該周緣設置。格芯（美國）集成電路科技有限公司
31 一種雙極型晶體管制備方法及雙極型晶體管制備方法
方法包括：沿垂直襯底的方向于襯底上依次疊置摻雜類型相同的次集電極半導體層、集電極半導體層；次集電極半導體層的摻雜濃度大于集電極半導體層的摻雜濃度；采用漸變升溫工藝于集電極半導體層的頂面形成與集電極半導體層的摻雜類型不同的基極半導體層；于基極半導體層的頂面形成與集電極半導體層的摻雜類型相同的發射極半導體層，發射極半導體層的摻雜濃度大于集電極半導體層的摻雜濃度。本實施例至少能夠在沒有提高基極電阻的情況下提高電流增益，從而提高雙極型晶體管的性能及可靠性。
32 一種雙極結型晶體管及其制造方法
該晶體管包括：位于襯底上的第一阱區、第二阱區、第一注入區和第二注入區；第二阱區的底面和至少一個側面與第一阱區接觸；第一注入區位于第二阱區內；第二注入區橫跨第一阱區和第二阱區，且第一注入區和第二注入區在橫向上彼此間隔第一距離；第一注入區構成雙極結型晶體管的發射區，第二阱區構成雙極結型晶體管的基區，第一阱區和第二注入區共同構成雙極結型晶體管的集電區，該雙極結型晶體管具有更大的集電區和發射結面積和發射極注入效率，能夠有效的提升雙極結型晶體管的放大系數，實現了晶體管的高增益。
33 一種雙極結型晶體管結構
包括：第一環繞柵極場效應晶體管；第二環繞柵極場效應晶體管；以及第三環繞柵極場效應晶體管；其中所述第一和第三環繞柵極場效應晶體管的源極/漏極部件以及所述第二阱區具有第一導電類型，并且所述第二環繞柵極場效應晶體管的源極/漏極部件和所述第一阱區具有第二導電類型，其中所述第一雙極結型晶體管器件的第一PN結形成在所述第一環繞柵極場效應晶體管的源極/漏極部件和所述第一阱區之間，并且第二PN結形成在所述第一阱區和所述第二阱區之間。可以保證電子或電空穴具有合適或足夠的通道，保證電流具有合適或足夠的通道，從而確保雙極結型晶體管結構的性能，減小Vbe失配的負面影響。聯發科技股份有限公司
34 一種InP基異質結雙極性晶體管的外延結構及其制備方法
該外延結構包括P型GaAsSb基極區層和連接于所述P型GaAsSb基極區層上的N型InP發射極區層，其中，所述N型InP發射極區層為基于MOCVD工藝或MBE工藝且以鹵甲烷為摻雜C源外延生長形成的C摻雜的InP材料層。方案中，在生長C摻雜的N型InP發射極區層時，摻雜C源鹵甲烷可與GaAsSb表面偏析出的Sb元素以及腔體內殘留的Sb元素反應，生成SbCl3或SbBr3，SbCl3或SbBr3的熔點極低，會離開InP材料層表面，由此可以避免N型InP發射極區層被Sb元素污染，可以獲得高品質的N型InP發射極區層，有利于提升器件的性能。并且，該晶體管結構中不需要加入GaAs緩沖層，避免了GaAs緩沖層的負面影響，又簡化了制備工藝流程。
35 一種異質結雙極型晶體管制備方法及異質結雙極型晶體管制備方法
該方法包括：在從下到上依次為基區外延層、發射區InP層和發射區帽層的晶圓上表面濺射金屬層和淀積介質層；對介質層和金屬層刻蝕，對發射區帽層腐蝕；刻蝕后的金屬層構成發射區電極；淀積隔離介質層；去除介質層和介質層外表面的隔離介質層；對目標隔離介質層刻蝕，對發射區InP層腐蝕；腐蝕后的發射區InP層和發射區帽層構成發射區臺面；在基區外延層上表面制備基區電極。能夠減小發射區臺面的橫向腐蝕距離，減小基區電極與發射區臺面的間距，從而減小RB?table，提高異質結雙極型晶體管的輸入電流能力和頻率性能。
36 一種砷化鎵異質結雙極晶體管制備方法
所述砷化鎵異質結雙極晶體管的基區采用GaAsSb或InGaAs材料，發射區采用富Ga(即Ga組分大于51％)的GaInP材料。通過增加發射區材料的帶寬，減小基區材料的帶寬，增加了器件發射區和基區之間的帶寬差，提高器件的熱穩定性和可靠性。并且，GaAsSb或InGaAs基區和GaInP發射區都是三元合金，組分更易控制，材料更易制備，而且不存在現有技術中的Al元素和N元素帶來的缺陷問題。
37 一種雙異質結雙極晶體管及其制備方法
包括：在待制備的圓片上制作發射區電極，并基于發射區電極對圓片中的發射區進行濕法腐蝕，以使圓片中發射區和基區之間的第一分界層暴露；在第一分界層的上表面制作基區電極，并基于基區電極，依次對第一分界層和基區進行濕法腐蝕，以使圓片中基區和集電區之間的第二分界層暴露；在第二分界層的上表面制作集電區電極，并基于集電區電極，依次對第二分界層和集電區進行濕法腐蝕，以使圓片中集電區和腐蝕終止層之間的第三分界層暴露；依次對第三分界層、腐蝕終止層和圓片的InP襯底進行濕法腐蝕，得到雙異質結雙極晶體管。能夠提高器件的性能和隔離度。
38 一種氮化鎵基雙極結型晶體管及其制備方法
在AlGaN勢壘層和GaN溝道層的交界面處通過壓電極化和自發極化效應在靠近GaN溝道層一側產生二維電子氣層；從絕緣層的頂面的中部，向下刻蝕至GaN溝道層的底面，形成用于沉積生長P型半導體層的凹槽；從發射區絕緣層的頂面遠離P型半導體層的端部和集電區絕緣層的頂面遠離P型半導體層的端部，向下刻蝕至發射區AlGaN勢壘層的頂面，形成用于沉積生長發射極和集電極的兩凹槽；在P型半導體層的頂面沉積生長基極；可大大提高電子在發射區和集電區的遷移率，提升器件的大電流輸出能力、功率密度和高頻應用能力。上海大學
39 一種垂直型雙極性結型晶體管及其制作方法
該方法包括以下步驟：提供一基底，基底包括自下而上依次層疊的襯底層、第一絕緣層、中間層、第二絕緣層及器件層，將器件層轉變為絕緣介質層，形成第一、第二溝槽于絕緣介質層中，形成第三、第四溝槽于第二絕緣層中，形成第一、第二隔離帶于中間層中，摻雜得到中間層功能區，形成第一、第二集電區，形成發射區及基區。制作方法起始于雙絕緣層基底，例如可以是雙絕緣層上硅晶圓，通過合理分布基區、集電區及發射區，解決了全耗盡SOI垂直雙極性結型晶體管集成的問題。晶體管中采用雙層絕緣層的隔離，使得器件可以穩定工作，不會影響別的器件，同時可以實現很好的雙極放大。
40 一種橫向雙極晶體管制備方法
包括：發射極區域，摻雜有第一導電類型，具有第一寬度和第一平均摻雜濃度；集電極區域，摻雜有該第一導電類型，具有大于該發射極區域的該第一寬度的第二寬度和低于該第一平均摻雜濃度的第二平均摻雜濃度；以及基極區域，被定位在該發射極區域與該集電極區域之間。該發射極區域、集電極區域和基極區域被布置在襯底上的絕緣體層上的硅層中。被去除該硅層和該絕緣體層的襯底區域被定位在該集電極區域的一側上。偏置電路被耦合，并且被配置為向該襯底區域遞送偏置電壓。該偏置電壓被控制以調制該集電極區域的靜電摻雜。意法半導體（克洛爾2）公司
41 一種鍺硅異質結雙極晶體管的制造方法
在所述方法中，先形成梯形的犧牲結構，再形成第一摻雜多晶硅層，在犧牲結構的側壁形成第一摻雜多晶硅層的倒斜面結構，后續刻蝕犧牲結構并形成梯形空腔，在空腔中外延生長，形成梯形的鍺硅外延層，并在第一摻雜多晶硅層的表面上形成多晶鍺硅層，側壁處的多晶鍺硅層呈斜面結構，使得第一摻雜多晶硅層側壁處的倒斜面與多晶鍺硅層外側的斜面契合匹配，使得多晶鍺硅層內側的斜面與鍺硅外延層側壁處的斜面契合匹配，實現了基于鍺硅外延層的內基區與基于第一摻雜多晶硅層的外基區的匹配連接，減少了鍺硅外延層與第一摻雜多晶硅層之間的孔洞縫隙，增大了內基區與外基區的接觸面積，降低了基區的總電阻。
42 一種二維材料與氮化鎵結合的雙極型晶體管及其制備工藝
包括由下至上疊加形成整體式的底層集電極、襯底、n??GaN層、p型二維材料層及雙極區，所述雙極區包括疊加在p型二維材料層上端面的基極與n+?GaN層，所述n+?GaN層遠離基極的一端疊加有發射極；所述基極與n+?GaN層之間存在間隙區域，所述n+?GaN層上端面未被發射極覆蓋區域疊加設有電極隔離層，所述電極隔離層充填間隙區域，在發射極與基極之間形成隔離保護。將傳統BJT中的p型GaN埋層基區替換為p型二維材料基區，制備過程簡化制備過程，提高工藝制備的效率，規避傳統p型GaN埋層基區難以激活，容易產生鈍化等問題，有利于BJT的性能提升，更好應用于高頻高溫惡劣環境下。深圳大學
43 一種縱向雙極型晶體管及其制作方法
縱向雙極型晶體管設置于P型襯底上且包括：位于所述P型襯底上部的N型埋層和P型埋層，以及位于所述N型埋層下方的N型深阱，所述N型埋層設置于所述N型深阱與所述N型外延層之間，所述P型埋層設置成包圍所述N型深阱且鄰接所述N型埋層。通過在襯底設置N型埋層和P型埋層和N型深阱，所述P型埋層環繞所述N型深阱設置且鄰接所述N型埋層，利用P型埋層分別與N型埋層和N型深阱形成的PN結阻斷基區少子電流向襯底注入的通道，由此減少襯底漏電流。
44 一種異質結雙極晶體管及其制造方法
包括依次層疊的集電區層、基區層和發射區層，所述基區層包括含砷鎵的能帶層，所述含砷鎵的能帶層的能帶低于砷化鎵材料的能帶，從而能夠降低異質結雙極晶體管的能帶；進一步的，所述基區層還包括第一含砷鎵的過渡層，通過所述第一含砷鎵的過渡層以實現晶格常數的過渡，可以避免與集電區層之間的晶格失配；進一步的，所述基區層還包括第二砷化鎵層，通過所述第二砷化鎵層可以實現與發射區層之間的晶格匹配。在本發明提供的異質結雙極晶體管及其制造方法中，能夠得到低能帶、高質量的異質結雙極晶體管。
45 雙極結晶體管和制造方法
該結構包括：集電極區；基極區，其與所述集電極區相鄰；發射極區，其與所述基極區相鄰；具有第一材料的接觸，其連接到集電極區和基極區；以及具有第二材料的至少一個接觸，其連接到發射極區。格芯（美國）集成電路科技有限公司
46 一種載流子存儲溝槽型雙極晶體管結構及其制造方法
通過在傳統CSTBT器件結構的基礎上引入深槽發射極，并在N型摻雜的載流子存儲層的下方，溝槽結構底部的外圍區域形成P型層，有效解決了傳統CSTBT的擊穿電壓過小、導通功耗大、關斷損耗過高等問題。復旦大學
47 一種抗單粒子瞬態的異質結雙極晶體管及制造方法
包括：提供襯底，在襯底中形成深N阱，在深N阱中形成深P阱；在深N阱與深P阱的側面，形成第一淺槽隔離結構，在深P阱內部，形成第二淺槽隔離結構；在深P阱內部形成被第二淺槽隔離結構包圍隔離的區域內形成集電區；在集電區上形成異質結雙極晶體管。本發明所設計的襯底包括深N阱和深P阱，在該襯底上制造的異質結雙極晶體管，當發生單粒子瞬態時，可減少集電區收集的電荷，并將集電區瞬態電流降低，提高集電區瞬態電流快速掉電的效率，降低抗單子瞬態的生產成本。
48 一種可減小電性特性的偏差的雙極晶體管及半導體裝置
一種雙極晶體管(100)，具有：集電極區域(150)，是P型半導體基板(110)中的規定區域；基極區域(140)，形成在集電極區域(150)內且是N型阱區域；多晶硅(130)，隔著絕緣膜(131)形成在基極區域(140)上，且俯視時的外周呈矩形的環狀；以及P型發射極區域(120)，被多晶硅(130)包圍且形成在基極區域(140)內，多晶硅(130)包括延伸部(130a)，所述延伸部(130a)向基極區域(140)的接觸區域(141)的內側延伸并與基極區域(140)電性連接。艾普凌科株式會社
49 一種鍺硅異質結雙極晶體管及其制造方法
采用贗埋層、基極接觸面呈楔形和鎳硅工藝，在襯底中形成贗埋層，在襯底的正面形成基極，基極的第一基區和第二基區接觸面為楔形，在第一基區上形成楔形介電結構為側面的溝槽，以楔形介電結構為掩膜進行離子注入，在第一基區的底部和贗埋層的頂部形成集電極，以介電結構為側面的溝槽中形成發射極，采用鎳硅工藝在發射極、基極及集電極形成歐姆接觸的金屬層。在第一基區和第二基區采用楔形連接，增加了接觸面積，減小基極電阻，通過在襯底中形成贗埋層以及鎳硅工藝，減少埋層的形成，降低對熱預算的需求，提升了工藝的復用性和可靠性。
50 具有參與二極管的基極層的雙極結晶體管制備方法
一種用于雙極結晶體管的結構和形成用于雙極結晶體管的結構的方法。所述結構包括具有第一抬升半導體層的第一端子、具有第二抬升半導體層的第二端子、以及基極層，所述基極層在橫向方向上位于所述第一端子的所述第一抬升半導體和所述第二端子的所述第二抬升半導體層間。所述結構還包括調制器，其包括與所述基極層直接接觸的半導體層。所述基極層具有第一導電類型，所述半導體層具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型。格芯（美國）集成電路科技有限公司
51 一種硅基硅鍺異質結雙極晶體管及其制造方法
屬于電子技術領域。在襯底上離子注入形成N+BL埋層；在N+BL埋層上形成四氮化三硅應力層；離子注入形成N?集電區；通過氧化形成二氧化硅掩蔽層，刻蝕出集電區窗口后進行硼離子注入，并執行快速退火操作以消除晶格損傷；離子注入形成N+BL埋層連通區；在應變基區選擇性外延Si1?xGex基區；在Si1?xGex基區上方淀積硅帽層；淀積N型多晶硅作為發射極；刻蝕Si并淀積SiGe材料與四氮化三硅應力層形成集電區應力區；光刻集電極、發射極和基極以外的金屬，形成電極引線。能夠增強載流子的遷移率、減小載流子總渡越時間，提高晶體管工作速度。
52 具有改進結構的雙極型晶體管及其制備方法
包括步驟一，塑封組裝；步驟二，拼接安裝；步驟三，泄壓測試；步驟四，檢驗儲存；本發明通過防爆機構的安裝，利用開有十字槽的泄壓鋁薄膜來泄壓防爆，出現晶體管短接膨脹的情況時，壓力從泄壓鋁薄膜傾瀉出，避免了晶體管爆炸的情況出現，提升了晶體管使用的安全性；通過散熱機構的安裝，利用散熱板的風冷散熱以及散熱液的吸熱，實現了晶體管的快速散熱，提升了設備的散熱能力，避免了過載過熱導致的使用壽命縮短的情況出現；利用固定塊和第一導電塊通過螺紋鎖緊的方式固定，代替傳統的錫焊固定，固定方式簡單，無需專門的錫焊工具，同時拆卸簡便，便于重復利用。
53 一種異質結雙極型晶體管及其制作方法
所述異質結雙極型晶體管包括由下至上依次設置的襯底、亞集電區、隧穿結構、集電區、基區、發射區、發射區蓋層和歐姆接觸層；其中，所述隧穿結構包括交替設置的第一導電類型離子摻雜層和第二導電類型離子摻雜層。根據本發明提供的異質結雙極型晶體管及其制作方法，通過在亞集電區和集電區之間形成由交替設置的第一導電類型離子摻雜層和第二導電類型離子摻雜層構成的隧穿結構而不再形成刻蝕停止層，隧穿結電容(Ctj)與集電結電容(Cbc)串聯，等效電容減小，提高了器件的性能。
54 一種雙極性晶體管及其制造方法
雙極性晶體管包括：第一類型阱；第二類型阱，與第一類型阱相鄰；第一淺溝槽隔離區，由壓應力為負值的絕緣材料構成，位于第二類型阱中并且從襯底的表面向內延伸預定深度；第二淺溝槽隔離區，由壓應力為負值的絕緣材料構成，位于第一類型阱和第二類型阱之間并且從襯底的表面向內延伸預定深度；以及基極，形成在第二類型阱中，其中，基極與第一淺溝槽隔離區和第二淺溝槽隔離區相鄰。本公開實施例的方案能夠實現電流增益Beta的顯著提升，并且該與傳統CMOS工藝平臺兼容。全芯智造技術有限公司
55 一種異質結雙極型晶體管制作方法
包括：襯底；溝道層，形成在襯底上，溝道層上形成有向下凹陷的臺面；勢壘層，形成在溝道層的未形成有臺面的區域上，勢壘層適用于在溝道層內極化產生二維電子氣層；p型基區，形成在勢壘層上的部分區域；n型發射區，形成在p型基區上的部分區域；漏極，形成在溝道層的臺面上，漏極適用于與二維電子氣層形成歐姆接觸；其中，p型基區與n型發射區形成異質結結構，異質結結構適用于經過勢壘層向溝道層輸入電流，二維電子氣層適用于將電流傳輸至漏極。
56 一種磷化銦異質結雙極晶體管制作方法
所述磷化銦異質結雙極晶體管的基區采用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格結構。采用InGaAs/GaAsSb超晶格結構制作基區，其導帶高度可以通過超晶格材料的厚度調節，從而實現理想的電子輸運，同時避免了傳統InGaAsSb四元合金基區所面臨的相分離、組分不均勻和重復性差等問題，極大的提高了器件的設計靈活性和可制造性。
57 一種砷化鎵異質結雙極晶體管制作方法
所述砷化鎵異質結雙極晶體管的亞集電區和/或發射區蓋層采用Si和C共摻雜的N型GaAs。在高摻的GaAs亞集電區和/或發射區蓋層采用Si和C共摻雜方法，相對于只采用Si摻雜的現有技術，可有效抑制高摻GaAs層中點缺陷的擴散，提高器件的穩定性和可靠性。
58 一種深槽隔離雙極晶體管及其制造方法
通過設置在第一雜質類型襯底內的第一雜質類型重摻雜區，在過剩載流子向集電區?襯底PN結輸運的路徑上引入了高復合率區域，減少了被集電區收集的過剩載流子數量，能夠有效降低瞬時光電流的幅值并縮短其持續時間，從而大幅提高了深槽隔離雙極晶體管的抗瞬時劑量率效應能力；第一雜質類型重摻雜區位于襯底中，不改變器件的本征區域結構和工藝流程，不影響器件的常規電學參數；第一雜質類型重摻雜區的形成方法簡單，與常規器件相比，僅需增加一次離子注入流程，同時不需引出單獨的金屬接觸，有利于降低工藝復雜度和制造成本；同時，在提高抗瞬時劑量率效應能力的同時，還能夠提高抗單粒子效應能力。
59 一種抗輻照加固硅PNP雙極型晶體管及其制備方法
晶體管包括襯底本體(1)和外延層(2)，在敷設有掩蔽層(3)，并在掩蔽層(3)中部下方的外延層(2)上設置有基區(4)，在基區(4)中心位置設置有發射區(5)，在發射區(5)中心處設置有穿過掩蔽層(3)的發射區電極(9)；在外延層(2)的上方靠近邊緣處設置有保護環(6)；在發射區(5)外側的基區(4)邊緣處設置有高磷區(7)，在高磷區(7)上方設置有穿過掩蔽層(3)的基區電極(8)；在除基區電極(8)和發射區電極(9)之外的外延層(2)上方設置有保護層(10)。本發明提高了雙極型晶體管的抗輻照能力。
60 一種垂直應變雙極結型晶體管及其制備方法
垂直應變雙極結型晶體管包括發射區、集電區和基區，所述發射區包括襯底和凸出于襯底表面的凸臺，所述凸臺的表面設有所述基區，所述基區環繞式包裹所述集電區，氮化硅應力薄膜環繞式包裹所述基區的外側壁，利用氮化硅應力薄膜環繞式包裹所述基區的外側壁，可提供單軸應力，提高載流子遷移率，進而提高器件的特征頻率。