應用領域:用于穩定電壓,防止電壓波動對電路的影響。穩壓二極管在反向電壓達到一定值時開始導電,限制電壓的進一步升高。
穩壓電源:穩壓二極管可以將輸入電壓維持在設定的水平,確保電路元件和負載在正確的電壓范圍內工作。這種特性使得穩壓二極管在各種電源電路中廣泛應用。
電子濾波電路:在電子濾波器中,穩壓二極管用于穩定直流輸出電壓,提高電路的穩定性和可靠性。
過壓保護:當輸入電壓超過設定值時,穩壓二極管導通,限制電流,防止過高的電壓對電路和負載造成損壞。這種保護功能在各種電子設備中非常重要。
浪涌保護電路:穩壓二極管可以限制浪涌電壓,保護電路和負載不受瞬間高壓的影響。例如,在電視機中,當電源電壓過高時,穩壓二極管導通,使電視機進入待機保護狀態。
溫度補償電路:利用穩壓二極管的溫度系數,可以構建溫度補償電路,確保電路在溫度變化時仍能保持穩定的輸出電壓。
電弧抑制電路:在電磁吸鐵控制電路中,穩壓二極管用于消除電感線圈在開關斷開時產生的電弧,保護開關和電路。
本篇是為了配合國家產業政策向廣大企業、科研院校提供穩壓二極管制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現有技術問題及解決方案、產品生產工藝、配方、產品性能測試,對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發、參與市場競爭的必備工具。
本篇系列匯編資料分為為精裝合訂本和光盤版,內容相同,用戶可根據自己需求購買。
GaN作為第三代半導體由于具有高電子飽和漂移速率,寬禁帶,耐高溫,高擊穿場強等優點,是固態微波功率器件和功率電子器件未來的發展方向。
【內容介紹】 本資料收錄了國內外最新GaN基晶體管制造工藝配方,最新專利技術新成果全文資料,工藝配方詳盡,技術含量高、從事高性能、高質量、GaN基晶體管研究生產單位提高產品質量、開發新產品的重要情報資料。
【資料內容】生產工藝、配方
【資料數量】62項
【出品單位】國際新技術資料網
【電 子 版】1480元(PDF文檔 郵件傳送)
目錄
1 | 一種GaN基晶體管及其制作方法和應用 | 廈門市三安集成電路有限公司 |
2 | 一種GaN晶體管結構及其制備方法 | 安徽大學 |
3 | GaN晶體管與柵極驅動器的合封結構及合封方法 | 上海燁映微電子科技股份有限公司 |
4 | 具有傾斜柵極場板的GaN半導體功率晶體管和制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
5 | 基于薄膜晶體管技術的單片集成GaN共源共柵結構 | 西安電子科技大學 |
6 | 具有雙柵結構的p-GaN柵極氮化鎵高電子遷移率晶體管 | 北京大學 |
7 | 一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 湖北九峰山實驗室 |
8 | 一種具有GaN/AlGaN異質結的GaN基絕緣柵雙極型晶體管 | 東南大學 |
9 | 基于超薄AlN緩沖層和SiN歐姆接觸層的GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
10 | p-GaN柵高電子遷移率晶體管模型及其建模方法 | 東南大學;無錫華潤上華科技有限公司 |
11 | 具有階梯式金屬場板的GaN半導體功率晶體管及制造方法 | 英飛凌科技加拿大公司 |
12 | 常關型極化超結GaN基場效應晶體管和電氣設備 | 株式會社POWDEC |
13 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電(蘇州)有限公司 |
14 | GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 京東方華燦光電(蘇州)有限公司 |
15 | 一種鐵電極化耦合的GaN場效應晶體管 | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
16 | 一種凹槽型肖特基源p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
17 | 一種具有P-GaN源極擴展的GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
18 | 一種超晶格柵極的GaN高電子遷移率晶體管 | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
19 | 具有臺階P型GaN半包圍MIS柵的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 重慶郵電大學 |
20 | 一種N面GaN/ScAlGaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
21 | 一種GaN襯底表面無損傷生長金剛石膜的方法以及GaN基高電子遷移率晶體管 | 西安交通大學 |
22 | 具有主GaN功率晶體管和GaN電流感測晶體管的GaN管芯 | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
23 | 一種單片集成的全GaN共源共柵場效應晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
24 | 具有增強型折疊形狀的AlGaN/GaN MIS高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
25 | 具有高閾值電壓的高壓縱向GaN高溝道電子遷移率晶體管 | 電子科技大學 |
26 | 一種GaN高電子遷移率晶體管結構及制作方法 | 天津市濱海新區微電子研究院 |
27 | 一種GaN基混合柵增強型高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 北京大學 |
28 | 一種GaN基納米尺度肖特基勢壘場效應晶體管 | 長沙理工大學 |
29 | 一種具有P型GaN柵增強型GaN晶體管結構及其制備方法 | 西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院 |
30 | 一種高壓橫向GaN高電子遷移率晶體管 | 江蘇希爾半導體有限公司;樂山希爾電子股份有限公司;樂山嘉洋科技發展有限公司 |
31 | 具有漸變背勢壘緩沖層InAlN/GaN高電子遷移率晶體管及制作方法 | 中國科學院半導體研究所 |
32 | 一種基于平面斜柵結構的高線性GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
33 | 基于Fin結構的GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
34 | 一種具有肖特基島結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
35 | 一種具有埋層結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
36 | 一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
37 | 一種基于P型氮化物隔離的P-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
38 | 一種異質結注入的溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學 |
39 | p-GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 無錫先瞳半導體科技有限公司 |
40 | 一種高線性度GaN晶體管及制備方法 | 廈門市三安集成電路有限公司 |
41 | 具有垂直AlGaN/GaN結構的高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 江蘇芯港半導體有限公司 |
42 | 一種具有n-GaN二次外延層的GaN基高電子晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導體有限公司 |
43 | 降低襯底漏電流的GaN基JFET場效應晶體管及其制備方法 | 南京大學 |
44 | 一種抗單粒子加固的P-GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 中國空間技術研究院 |
45 | 一種具有GaN基多溝道凹槽MIS結合PN結柵的垂直晶體管及其制作方法 | 上海格晶半導體有限公司 |
46 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學 |
47 | 一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 北京芯可鑒科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司 |
48 | 提高抗輻照能力和耐氫特性的GaN基高電子遷移率晶體管 | 中國科學院半導體研究所 |
49 | GaN襯底晶體管器件及其制備方法 | 浙江芯科半導體有限公司 |
50 | 具有高功率優值與優異導通特性的GaN場效應晶體管 | 江蘇芯唐微電子有限公司 |
51 | 一種低歐姆接觸GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院 |
52 | GaN基增強型功率晶體管 | 中國科學院微電子研究所 |
53 | 一種N襯底溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管 | 重慶郵電大學 |
54 | 結型積累層增強型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法 | 西安電子科技大學 |
55 | GaN基增強型功率晶體管的制備方法 | 捷捷半導體有限公司;中國科學院微電子研究所 |
56 | 基于離子注入的抗單粒子p-GaN晶體管及其制備方法 | 西安電子科技大學 |
57 | 基于P型GaN漏電隔離層的同質外延氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法 | 西安電子科技大學 |
58 | 基于原位生長MIS結構的P-GaN高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學 |
59 | GaN場效應晶體管 | 中國科學院半導體研究所 |
60 | 一種傾斜式GaN HEMT集成散熱晶體管及其制備方法 | 深圳大學 |
61 | 基于AlGaSbN/GaN異質結的高電子遷移率晶體管及制備方法 | 西安電子科技大學 |
62 | GaN基高電子遷移率晶體管、歐姆金屬電極及其制備方法 | 中國科學院微電子研究所 |