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《穩壓(齊納)二極管制造工藝技術精選》


            

    應用領域:用于穩定電壓,防止電壓波動對電路的影響。穩壓二極管在反向電壓達到一定值時開始導電,限制電壓的進一步升高。
    穩壓電源:穩壓二極管可以將輸入電壓維持在設定的水平,確保電路元件和負載在正確的電壓范圍內工作。這種特性使得穩壓二極管在各種電源電路中廣泛應用。
    電子濾波電路:在電子濾波器中,穩壓二極管用于穩定直流輸出電壓,提高電路的穩定性和可靠性。
    過壓保護:當輸入電壓超過設定值時,穩壓二極管導通,限制電流,防止過高的電壓對電路和負載造成損壞。這種保護功能在各種電子設備中非常重要。
    浪涌保護電路:穩壓二極管可以限制浪涌電壓,保護電路和負載不受瞬間高壓的影響。例如,在電視機中,當電源電壓過高時,穩壓二極管導通,使電視機進入待機保護狀態。
    溫度補償電路:利用穩壓二極管的溫度系數,可以構建溫度補償電路,確保電路在溫度變化時仍能保持穩定的輸出電壓。
    電弧抑制電路:在電磁吸鐵控制電路中,穩壓二極管用于消除電感線圈在開關斷開時產生的電弧,保護開關和電路。


    本篇是為了配合國家產業政策向廣大企業、科研院校提供穩壓二極管制造工藝匯編技術資料。資料中每個項目包含了最詳細的技術制造資料,現有技術問題及解決方案、產品生產工藝、配方、產品性能測試,對比分析。資料信息量大,實用性強,是從事新產品開發、參與市場競爭的必備工具。
        

    本篇系列匯編資料分為為精裝合訂本和光盤版,內容相同,用戶可根據自己需求購買。



《GaN基晶體管制造工藝配方精選匯編》

《GaN基晶體管制造工藝配方精選匯編》

GaN作為第三代半導體由于具有高電子飽和漂移速率,寬禁帶,耐高溫,高擊穿場強等優點,是固態微波功率器件和功率電子器件未來的發展方向。

【內容介紹】 本資料收錄了國內外最新GaN基晶體管制造工藝配方,最新專利技術新成果全文資料,工藝配方詳盡,技術含量高、從事高性能、高質量、GaN基晶體管研究生產單位提高產品質量、開發新產品的重要情報資料。


【資料內容】生產工藝、配方
【資料數量】62項
【出品單位】國際新技術資料網
【電  子 版】1480元(PDF文檔 郵件傳送)

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GaN作為第三代半導體由于具有高電子飽和漂移速率,寬禁帶,耐高溫,高擊穿場強等優點,是固態微波功率器件和功率電子器件未來的發展方向。

【內容介紹】 本資料收錄了國內外最新GaN基晶體管制造工藝配方,最新專利技術新成果全文資料,工藝配方詳盡,技術含量高、從事高性能、高質量、GaN基晶體管研究生產單位提高產品質量、開發新產品的重要情報資料。


【資料內容】生產工藝、配方
【資料數量】62項
【出品單位】國際新技術資料網
【電  子 版】1480元(PDF文檔 郵件傳送)

目錄

1一種GaN基晶體管及其制作方法和應用廈門市三安集成電路有限公司
2一種GaN晶體管結構及其制備方法安徽大學
3GaN晶體管與柵極驅動器的合封結構及合封方法上海燁映微電子科技股份有限公司
4具有傾斜柵極場板的GaN半導體功率晶體管和制造方法英飛凌科技加拿大公司
5基于薄膜晶體管技術的單片集成GaN共源共柵結構西安電子科技大學
6具有雙柵結構的p-GaN柵極氮化鎵高電子遷移率晶體管北京大學
7一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法湖北九峰山實驗室
8一種具有GaN/AlGaN異質結的GaN基絕緣柵雙極型晶體管東南大學
9基于超薄AlN緩沖層和SiN歐姆接觸層的GaN高電子遷移率晶體管及制作方法西安電子科技大學
10p-GaN柵高電子遷移率晶體管模型及其建模方法東南大學;無錫華潤上華科技有限公司
11具有階梯式金屬場板的GaN半導體功率晶體管及制造方法英飛凌科技加拿大公司
12常關型極化超結GaN基場效應晶體管和電氣設備株式會社POWDEC
13GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法京東方華燦光電(蘇州)有限公司
14GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法京東方華燦光電(蘇州)有限公司
15一種鐵電極化耦合的GaN場效應晶體管中國電子科技集團公司第五十五研究所
16一種凹槽型肖特基源p-GaN晶體管及其制備方法西安電子科技大學
17一種具有P-GaN源極擴展的GaN晶體管及其制備方法西安電子科技大學
18一種超晶格柵極的GaN高電子遷移率晶體管中國電子科技集團公司第五十五研究所
19具有臺階P型GaN半包圍MIS柵的高電子遷移率晶體管及制備方法重慶郵電大學
20一種N面GaN/ScAlGaN高電子遷移率晶體管及其制備方法西安電子科技大學
21一種GaN襯底表面無損傷生長金剛石膜的方法以及GaN基高電子遷移率晶體管西安交通大學
22具有主GaN功率晶體管和GaN電流感測晶體管的GaN管芯英飛凌科技奧地利有限公司
23一種單片集成的全GaN共源共柵場效應晶體管及其制備方法西安電子科技大學
24具有增強型折疊形狀的AlGaN/GaN MIS高電子遷移率晶體管及制作方法西安電子科技大學
25具有高閾值電壓的高壓縱向GaN高溝道電子遷移率晶體管電子科技大學
26一種GaN高電子遷移率晶體管結構及制作方法天津市濱海新區微電子研究院
27一種GaN基混合柵增強型高電子遷移率晶體管及其制備方法北京大學
28一種GaN基納米尺度肖特基勢壘場效應晶體管長沙理工大學
29一種具有P型GaN柵增強型GaN晶體管結構及其制備方法西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院
30一種高壓橫向GaN高電子遷移率晶體管江蘇希爾半導體有限公司;樂山希爾電子股份有限公司;樂山嘉洋科技發展有限公司
31具有漸變背勢壘緩沖層InAlN/GaN高電子遷移率晶體管及制作方法中國科學院半導體研究所
32一種基于平面斜柵結構的高線性GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法西安電子科技大學
33基于Fin結構的GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法西安電子科技大學
34一種具有肖特基島結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法西安電子科技大學
35一種具有埋層結構的抗單粒子P-GaN晶體管及其制備方法西安電子科技大學
36一種增強型GaN高電子遷移率晶體管及制備方法中國科學院寧波材料技術與工程研究所
37一種基于P型氮化物隔離的P-GaN晶體管及其制備方法西安電子科技大學
38一種異質結注入的溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管重慶郵電大學
39p-GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法無錫先瞳半導體科技有限公司
40一種高線性度GaN晶體管及制備方法廈門市三安集成電路有限公司
41具有垂直AlGaN/GaN結構的高電子遷移率晶體管及其制備方法江蘇芯港半導體有限公司
42一種具有n-GaN二次外延層的GaN基高電子晶體管及其制作方法上海格晶半導體有限公司
43降低襯底漏電流的GaN基JFET場效應晶體管及其制備方法南京大學
44一種抗單粒子加固的P-GaN高電子遷移率晶體管及其制備方法中國空間技術研究院
45一種具有GaN基多溝道凹槽MIS結合PN結柵的垂直晶體管及其制作方法上海格晶半導體有限公司
46一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法西安電子科技大學
47一種AlGaN/GaN垂直型高電子遷移率晶體管及其制作方法北京芯可鑒科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司
48提高抗輻照能力和耐氫特性的GaN基高電子遷移率晶體管中國科學院半導體研究所
49GaN襯底晶體管器件及其制備方法浙江芯科半導體有限公司
50具有高功率優值與優異導通特性的GaN場效應晶體管江蘇芯唐微電子有限公司
51一種低歐姆接觸GaN基高電子遷移率晶體管及其制備方法西安電子科技大學;西安電子科技大學廣州研究院
52GaN基增強型功率晶體管中國科學院微電子研究所
53一種N襯底溝槽型GaN絕緣柵雙極型晶體管重慶郵電大學
54結型積累層增強型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法西安電子科技大學
55GaN基增強型功率晶體管的制備方法捷捷半導體有限公司;中國科學院微電子研究所
56基于離子注入的抗單粒子p-GaN晶體管及其制備方法西安電子科技大學
57基于P型GaN漏電隔離層的同質外延氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法西安電子科技大學
58基于原位生長MIS結構的P-GaN高電子遷移率晶體管及制備方法西安電子科技大學
59GaN場效應晶體管中國科學院半導體研究所
60一種傾斜式GaN HEMT集成散熱晶體管及其制備方法深圳大學
61基于AlGaSbN/GaN異質結的高電子遷移率晶體管及制備方法西安電子科技大學
62GaN基高電子遷移率晶體管、歐姆金屬電極及其制備方法中國科學院微電子研究所



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