高純石墨制備技術工藝配方資料精選
強度高、抗熱震性好、耐高溫、抗氧化、電阻系數小
自從我公司2000年推出每年一期的石墨及石墨烯制造系列列新技術匯編以來，深受廣大企業的歡迎，在此，我們衷心地感謝致力于創新的新老客戶多年來對我們產品質量和服務的認同，由衷地祝愿大家工作順利!
石墨產業未來市場前景十分廣闊。傳統應用領域對石墨消費拉動、新興領域拓展是石墨產品未來市場的增長點。耐火材料行業是石墨消費的重要領域，鎂碳磚對石墨的需求量占我國石墨消費量的近1/3，電動汽車鋰電池負極材料，鋼鐵行業的持續穩定發展將促進石墨產業持續穩定增長。隨著高新技術的發展、新材料產業將成為石墨產業新的增長點，高性能石墨導電材料、密封材料、環保材料、熱交換材料、石墨烯等新興材料以及制品產業將會得到快速發展。
石墨產品需求結構將不斷升級，球型石墨、柔性石墨、石墨電極、核石墨等加工產品將成為新的市場熱點；利用具有自主知識產權的創新性技術，研究開發優質石墨新材料、廣泛應用于能源、環保、國防等領域。未來產品需求專業化程度不斷加強，滿足下游領域對高性能、專業化石墨材料制品需求將成為發展主流，由石墨原材料向深加工加工及其制品方向發展趨勢明顯，同時，大力發展節能環保、新能源、生物、高端裝備制造、新材料、新能源汽車等戰略新興產業，從而帶動石墨產業快速發展。
本期所介紹的資料，系統全面地收集了到2023年石墨及石墨烯制備制造最新技術，包括：優秀的專利新產品，新配方、新產品生產工藝的全文資料。其中有許多優秀的新技術在實際應用巨大的經濟效益和社會效益，這些優秀的新產品的生產工藝、技術配方非常值得我們去學習和借鑒。
全國訂購熱線：13141225688 在線訂購！
2024新版《石墨提純、高純石墨制造工藝配方精選匯編》
本篇專輯精選收錄了國內關于氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷制備配方、工藝技術資料。涉及國內著名公司、科研單位、知名企業的最新技術全文資料，工藝配方詳盡，技術含量高、環保性強，符合國家標準是從事高性能、高質量、產品加工研究生產單位提高產品質量、開發新產品的重要情報資料。
資料中包括制造原料組成、生產工藝、制造配方、產品性能測試及標準、解決的現有技術存在具體問題、產品制作實施例等等，是企業提高產品質量和發展新產品的重要、實用、超值和難得的技術資料。
【資料頁數】724頁
【項目數量】70項
【出品單位】國際新技術資料網
【合訂本價格】1680元（上、下冊）
【郵寄方式】中通快遞（免郵費） 順豐（郵費自理）
【電子版價格】1480元（ＰＤＦ文檔，郵件發送）
【聯系電話】13141225688
1 一種低溫快速制備高導熱復雜形狀氮化鋁陶瓷的方法
能夠將使燒結溫度降低至1600℃以下?；旌蠞{料采用多粒度粉末復配的方式，以大顆粒氮化鋁粉末為燒結與導熱的骨架材料，利用納米顆粒提供的高活性促進燒結，煅燒后的坯體具有90％的相對密度，有利于進一步縮短燒結時間。利用硅橡膠固化前的可流動的特點，具有填充復雜形狀模具的特點，做到成形的任意性。此方法獲得的氮化鋁陶瓷兼具了低能耗、快速制備、復雜形狀成形性與高導熱(150～175W/m·k)的特點。
2 氮化鋁陶瓷材料及其制備方法和應用
步驟：將微米級氮化鋁粉體、單層石墨烯和燒結助劑混合，球磨，制得混合粉末；將混合粉末與成型劑混合，模壓成型，制得粉末胚體；對粉末胚體進行燒結，得到氮化鋁陶瓷材料。本發明制得的氮化鋁陶瓷材料的相對密度達到98.8％以上，體電阻率在109Ω·cm～1011Ω·cm，熱導率超過200W m?1K?1，具有成本低廉、缺陷結構少、熱導率高和電阻率可調等優點，是一種性能優異的新型電介質層材料，可以用于制備性能優異的靜電卡盤，使用價值高，應用前景好，有利于實現靜電卡盤的廣泛應用。
3 一種氮化鋁基導電陶瓷及其制備方法
將氮化鋁粉體、金屬粉體、助燒劑粉體、有機溶劑、粘結劑、分散劑通過球磨機混合，得到混合漿料；對混合漿料進行真空除泡處理、成型，得到第一素坯；將第一素坯置于排膠爐中進行排膠處理，獲得陶瓷素坯；將排膠后的陶瓷素坯置于高溫爐中，在氮氣氣氛下進行高溫燒制，得到共晶化的氮化鋁基導電陶瓷材料；將共晶化的氮化鋁基導電陶瓷材料進行破碎、成型，得到第二素坯；將第二素坯放置在熱壓震蕩燒結爐中進行熱壓燒結，得到致密的共晶氮化鋁基導電陶瓷材料。有效抑制氮化鋁晶粒和金屬晶體的生長,使氮化鋁晶粒和金屬晶體之間進行有效的相互浸潤、擴散，使得燒結的陶瓷導熱均勻。
4 一種氮化鋁基電介質陶瓷及其制備方法
根據氮化鋁基電介質陶瓷的設計配方，將金屬粉體按一定比例進行稱重混合，得到摻雜用金屬粉料M；將氮化鋁粉體、助燒劑、摻雜用金屬粉料M、分散劑、溶劑按一定比例放入球磨機中，在一定工藝條件下進行混合研磨，得到混合漿料；將混合漿料進行干燥處理，除去多余溶劑，經過破碎處理，得到混合粉料；將混合粉料進行壓制成型處理，得到呈一定形狀和尺寸的素坯；將素坯置于排膠爐中進行排膠處理，以排除素坯中的有機物，從而獲得不含殘余碳的陶瓷素坯；將排膠后的陶瓷素坯置于高溫燒結爐中，在氮氣氣氛下進行高溫燒制，得到共晶化的氮化鋁基電介質陶瓷材料；將陶瓷材料進行形狀加工并進行表面處理。
5 一種氮化硅陶瓷的制備方法
解決現有生產工藝制備出的氮化硅陶瓷僅在熱導率、抗彎強度、斷裂韌性等某一方面具有突出性能，不能同時兼顧各方面性能的問題。包括以下步驟：(1)氮化硅粉體的表面改性；(2)復合粉體的制備；(3)中間體B的制備；(4)陶瓷漿料的制備；(5)光固化成型；(6)等靜壓處理；(7)脫脂；(8)燒結。
6 一種高體積電阻率和高熱導率氮化鋁陶瓷及其制備方法
以氧化釔和氧化鈣為復合燒結助劑，能夠同時提高氮化鋁陶瓷的熱導率和體積電阻率，其性能能夠達到密度＞3.30g/cm3、熱導率≥190W/(m?k)、室溫下體積電阻率＞3*1013Ω?cm3。
7 一種高導熱氮化鋁陶瓷的制備方法
解決現有制備工藝生產的氮化鋁陶瓷熱導率不高的問題，包括以下步驟：(1)復合粉體的制備；(2)陶瓷漿料的制備；(3)流延成型；(4)等靜壓成型；(5)排膠；(6)燒結。制備出的氮化鋁陶瓷不僅具備優異的導熱性能，同時提高了氮化鋁陶瓷的機械性能。
8 一種高強度氮化鋁陶瓷的制備方法
解決現有制備工藝生產的氮化鋁陶瓷抗彎強度不高，難以滿足高端領域需求的問題，包括以下步驟：(1)表面改性；(2)球磨，球磨過程中添加的燒結助劑為TiN?HfO2?Sm2O3?LiCO3；(3)真空脫泡；(4)流延成型；(5)等靜壓成型；(6)排膠；(7)燒結。制備得到的氮化鋁陶瓷具有優異的熱學性能和力學性能。
9 一種高導熱氮化硅陶瓷材料及其制備方法和應用
能夠降低材料中氧含量，并進一步改善導熱率，且碳納米管可以提高所述氮化硅陶瓷材料的致密性，從而提高其強度；六硼化鑭的存在有利于促進氮化硅轉變高硬度的陶瓷，進一步提高所述氮化硅陶瓷材料的強度，各組分協同作用，最終獲得兼具高強度的高導熱氮化硅陶瓷材料。
10 一種氮化硅燒結用輔助劑
主要包括二氧化硅、三氧化二釔與氧化鎂，所述二氧化硅、三氧化二釔與氧化鎂之間高溫混合反應，且優化比例為：所述二氧化硅的份額為20～60mol％，所述三氧化二釔的份額為0.1～10mol％，所述氧化鎂的份額為30～60mol％，其中，所述氧化鎂與三氧化二釔高溫反應可形成液狀，且根據比例的不同，與二氧化硅高溫反應形成液狀，所述二氧化硅、三氧化二釔與氧化鎂之間最優化比例為：所述二氧化硅的份額為58mol％，所述三氧化二釔的份額為2mol％，所述氧化鎂的份額為40mol％。作為氮化鋁、氮化硅、碳化硅等的燒結中需要的燒結輔助劑使用，改善氮化物燒結時使用的燒結輔助劑的液狀形成機制并提高燒結性。
11 一種大尺寸AlON透明陶瓷的流延成型生產方法
是采用Al2O3和AlN粉體直接作為原料，通過添加燒結助劑、分散劑、增塑劑、黏結劑進行球磨混合后得到陶瓷漿料，然后采用流延成型，干燥后得到Al2O3/AlN流延片，對流延片進行高溫燒結后得到大尺寸高質量AlON透明陶瓷。提供的制備工藝有效避免了傳統的制備AlON透明陶瓷方法存在的需要制備高純AlON粉體導致的制備周期長、工藝參數難控等問題，能夠直接實現大尺寸AlON透明陶瓷的制備，并且有效解決了大尺寸流延片干燥后表面不平整、存在裂紋等缺陷，可很好實現大尺寸AlON透明陶瓷的規?；瓦B續性生產。
12 一種高強度氮化硅透波陶瓷及其制備方法
提供的高強度氮化硅透波陶瓷的制備方法，包括以下步驟：(1)將氮化硅、燒結助劑和無水乙醇混合，得到混合物；(2)向所述步驟(1)得到的混合物中加入氮化硼短纖維、納米二氧化硅和氧化鋯，混合后得到濕混料；(3)將所述步驟(2)得到的濕混料烘干后進行壓制成型，得到坯體；(4)將所述步驟(3)得到的坯體依次進行預燒結和燒結，得到高強度氮化硅透波陶瓷。實施例的結果顯示，提供的制備方法制備的高強度氮化硅透波陶瓷的彎曲強度為480～620MPa，介電常數為2.5～3.0，兼具介電性能優異且強度高的特點。
13 高韌性、高強度的氮化硅球的制造方法
涉及如下的氮化硅球的制造方法：能夠大幅提高氮化硅球的生產產量，在燒結時可控制與碳之間的反應，從而能夠制造高強度及高韌性的氮化硅球。
14 氮化鋁陶瓷加熱片的制備方法及氮化鋁陶瓷加熱片
包括：步驟一、制備氮化鋁陶瓷流延漿料；步驟二、制備多個微晶石蠟柱；將各微晶石臘柱設在模具上；模具上開設有凹槽，凹槽底部開設有多個開孔；各微晶石臘柱設在模具底部遮蓋各開孔；在模具內注入氮化鋁陶瓷流延漿料形成底片生胚；加熱融化微晶石蠟柱；將液體微晶石蠟吸走，在底片生胚上形成通孔；步驟三、在底片生胚上設置正極導電接口、負極導電接口和發熱電路；步驟四、使發熱電路干燥固化；步驟五、繼續注入氮化鋁陶瓷流延漿料；氮化鋁陶瓷流延漿料固化后形成氮化鋁基陶瓷生胚；步驟六、燒制氮化鋁基陶瓷生胚形成氮化鋁陶瓷加熱片。通過本方法制備得到的氮化鋁陶瓷加熱片連接牢固，不易開裂。
15 一種氮化物陶瓷基板的制造方法
S1：制備預制漿料；S2：制備預制胚體；S3：將預燒坯體浸入浸透液體中浸泡處理，浸泡時間為1?2h，然后在25?30℃下自然干燥30?50min，再將其浸入沉淀劑溶液中進行沉淀處理，得到浸透胚體；S4：將浸透胚體再次進行干燥、煅燒和燒結處理，得到氮化物陶瓷基板。首先將預制漿料經由干燥排膠得到中間胚體，然后對中間胚體進行初步燒結結得到預制胚體，使其具有一定的凝結度，再將預制胚體依次進行浸透處理和沉淀處理，保證中間助劑分散均勻的同時還可以脫除預制胚體中的雜質，提升氮化物陶瓷基板的純度，進而保證其使用穩定性差。經過浸透處理和沉淀處理后再進行干燥、煅燒和燒結處理，進入得到氮化物陶瓷基板。
16 氮化鋁陶瓷及其制備方法和應用
該氮化鋁陶瓷包括多孔氮化鋁基體；多孔氮化鋁基體的孔壁表面負載有鐵氧體；鐵氧體表面負載有納米鎳顆粒。本發明還提供了一種氮化鋁陶瓷的制備方法，包括采用無壓燒結法燒結氮化鋁陶瓷，采用水熱法在氮化鋁基體上沉積鐵氧體和采用還原法在鐵氧體表面負載納米鎳顆粒的步驟。氮化鋁陶瓷將熱量快速傳遞至微反應器中，解決了由該氮化鋁陶瓷制備的微反應器的預熱時間過長，以及鎳顆粒從基體表面脫落，快速的直接升溫導致的納米鎳顆粒長大的技術問題。
17 一種硅粉流延成型制備高導熱氮化硅陶瓷基片的方法
包括：（1）以硅粉作為原料粉體，以氧化鎂、氧化鈣中的至少一種作為燒結助劑A，以稀土氧化物中的一種作為燒結助劑B，以氧化鋯、氧化鈦和氧化鉿中至少一種作為燒結助劑C，加入到含有分散劑的溶劑中，再加入粘結劑和塑性劑并混合，得到混合漿料；（2）將混合漿料在10～300Pa真空度下脫泡5～60分鐘后，采用流延成型設備流出厚度為50～1000微米的生料帶；（3）將所得生料帶經切割、疊層后得到需要厚度的氮化硅基片坯體，再經真空脫粘、氮化處理和燒結，得到高導熱氮化硅陶瓷基片。
18 一種氮化鋁陶瓷基板及其制備方法和應用
涉及氮化鋁陶瓷材料技術領域。氮化鋁陶瓷基板的制備方法，包括：S1，通過真空無壓燒結法制備氮化鋁陶瓷材料；S2，將所述氮化鋁陶瓷材料在空氣氣氛的條件下進行氧化，得到氮化鋁陶瓷基板；其中，所述氮化鋁陶瓷材料的原料包括氮化鋁、氮化鋯以及稀土氧化物。制備得到的氮化鋁陶瓷基板具有高熱導以及高抗彎強度，可應用于電子元器件基板中。
19 一種易燒結高純氮化硅粉體的制備方法
包括：（1）將硅粉、有機碳源和發泡劑加入到有機溶劑中并混合，得到混合漿料；（2）將所得混合漿料干燥過篩并松裝平鋪于氮化硅坩堝內，先置于排膠爐中進行低溫真空熱處理，再置于氮氣反應爐中進行氮化處理，最終經破碎和研磨，得到所述易燒結高純氮化硅粉體。
20 一種高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具及其制備方法
制備高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具時，先將一氧化硅通氮氣生長制得氮化硅納米線，將1,11?十二二烯依次和甲基二氯硅烷、甲醇反應制得兩端甲基二甲氧基硅基十二烷，將氮化硅納米線和兩端甲基二甲氧基硅基十二烷反應制得改性氮化硅納米線，將全氫聚硅氮烷、改性氮化硅納米線、氧化鋁、氧化釔、氮化硅混合置于模具中進行固化定形，再進行燒結，得到刀具胚體，最后進行多次浸漬煅燒處理后拋光制得高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具。本發明制備的高韌性高硬度氮化硅陶瓷刀具具有優良的斷裂韌性和耐磨損性。
21 超高溫陶瓷致密化方法、超高溫陶瓷
按照添加劑與原料混合物之間的目標比例，在合成所述超高溫陶瓷粉體的過程中添加所述添加劑以實現缺陷調控，得到超高溫陶瓷粉體；其中，所述添加劑包括B粉、NaCl、Na2B4O7、KCl中的至少一種；對所述超高溫陶瓷粉體進行燒結，以得到致密化的超高溫陶瓷；通過添加添加劑對超高溫陶瓷粉體進行缺陷調控，得到了燒結活性高的超高溫陶瓷粉體，從而燒結得到了致密度高的超高溫陶瓷。
22 氮化硅燒結體、耐磨性構件及氮化硅燒結體的制造方法
具備氮化硅結晶粒子及晶界相，在上述氮化硅燒結體的任意的截面中對20μm×20μm的區域進行拉曼光譜分析的情況下，在400cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且1200cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內檢測到7個以上的峰，上述7個以上的峰的最強峰不在515cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且525cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內。此外，上述7個以上的峰中的至少3個優選在530cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且830cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內。上述7個以上的峰中的至少1個優選在440cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以上且460cm＆lt;supgt;?1＆lt;/supgt;以下的范圍內。
23 一種氮化鋁陶瓷及其制備方法
氮化鋁陶瓷的制備方法，包括如下步驟：S1：氮化鋁粉末、改性劑和無水乙醇球磨、無水乙醇洗滌、干燥，得到改性AIN；S2：將交聯劑組分、去離子水混合，繼續加入分散劑和改性氮化鋁粉末、四甲基氫氧化銨，球磨、調節漿料pH值，得到漿料；S3：將漿料、引發劑混合后真空脫泡、澆注、固化成型、脫模、干燥、排膠、燒結，得到氮化鋁陶瓷。制備的改性氮化鋁抗水解性能優良，利用該改性氮化鋁粉末制備的氮化鋁陶瓷具有優良的力學性能。
24 一種高熱導氮化鋁陶瓷基板的制備方法
解決現有制備工藝獲得的氮化鋁陶瓷基板熱導率不高且需要消耗大量能量的問題，包括以下制備步驟：(1)氮化鋁粉體的原料的選擇；(2)球磨處理；(3)脫氧處理；(4)二次分散處理；(5)流延成型：送入流延成型機進行流延成型，獲得素坯；(6)排片壓平處理；(7)排膠：(8)燒結；(9)冷卻。
25 一種高性能AlON透明陶瓷及其低溫快速制備方法
將γ?Al2O3、AlN、三相燒結助劑(Y2O3、MgO、La2O3)進行球磨混合；將干燥后的粉體裝入石墨模具中；將石墨模具置于放電等離子燒結爐中進行真空燒結，最后在N2氣氛下對樣品進行除碳處理。該方法采用新型Y2O3、MgO、La2O3三相燒結助劑并利用放電等離子燒結技術通過固相反應一步制得AlON透明陶瓷，不僅簡化了AlON透明陶瓷的制備工藝，且大幅降低了AlON透明陶瓷的燒結溫度，縮短燒結時間，同時提高了AlON透明陶瓷的致密度，在保證AlON陶瓷透過率的前提下極大地提高AlON透明陶瓷的綜合力學性能。
26 一種高強度高熱導氮化硅陶瓷材料及其制備方法
高強度高熱導氮化硅陶瓷材料的原料組成包括Si粉和燒結助劑；所述燒結助劑由稀土共沉淀粉體(RE＆lt;subgt;x＆lt;/subgt;Eu＆lt;subgt;y＆lt;/subgt;)＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;和堿土金屬氧化物組成，(RExEuy)＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;中的RE為Y、Yb、Tm中的一種，x的取值范圍為88~98mol.%，y的取值范圍為2~12mol.%；所述堿土金屬氧化物為MgO、CaO、SrO和BaO中的至少一種；所述稀土共沉淀粉體和堿土金屬氧化物的摩爾比為0.5:9.5~9.5:0.5；以Si粉全部轉化為Si＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;N＆lt;subgt;4＆lt;/subgt;計，燒結助劑占高強度高熱導氮化硅陶瓷材料的含量為5~10mol.%。
27 光固化氮化硅陶瓷漿料、氮化硅陶瓷的制備方法
樹脂、光引發劑、增塑劑進行攪拌混合，得到光敏樹脂；所述的樹脂包括鄰苯基苯氧乙基丙烯酸酯，以及乙氧化季戊四醇四丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四氫呋喃丙烯酸酯中的一種或多種；樹脂中鄰苯基苯氧乙基丙烯酸酯的含量為10～90wt％。制備方法能有效解決傳統的氮化硅陶瓷漿料的固相含量低，以及其光固化成型的單層固化厚度低的技術缺陷。
28 一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法
解決現有技術的采用研磨工藝的氮化鋁陶瓷基本生產成本較高而不研磨的陶瓷基板表面凹坑深度過高不符合產品質量指標的缺陷；包括以下制備步驟：（1）流延漿料的配置，以氮化鋁粉體為主原料，搭配燒結助劑，并添加有機助劑，制成漿料;（2）流延成型：通過流延成型獲得生坯帶；（3）沖壓成片；（4）敷粉排膠；（5）燒結；（6）表面處理。
29 一種高致密ZrB2基超高溫陶瓷的高壓制備方法
特別涉及到超高溫陶瓷材料的結構和抗燒蝕性能。將ZrB2粉末和金屬碳化物粉末分別按摩爾比為1:1～20:1進行稱量混料；通過濕磨法對原料進行顆粒細化，將濕磨的漿料進行離心、干燥和模壓成型，并在高壓條件下進行燒結致密化，燒結壓力為2～4GPa，燒結溫度為750～950℃，最終制備出高致密ZrB2?ZrC超高溫陶瓷材料。提出的ZrB2基超高溫陶瓷的高壓制備方法具有工藝簡便、高效的優點，能夠顯著降低材料的燒結溫度，減少制備工藝中高溫所需的時間。有效提升陶瓷材料的致密度，提高超高溫陶瓷的抗熱燒蝕性能。
30 一種超大型軸承用超大尺寸氮化硅陶瓷球制備方法
該方法通過稱取6wt％MgSiN2?YbF3、94wt％β?Si3N4粉進行預混合，達到混勻的目的；無水乙醇作為介質，將所得物料球磨進行混勻15h?20h，球磨速率為90轉/分鐘?120轉/分鐘，經旋轉蒸發器65℃?75℃干燥4h?5h；將所得物料通過閉式噴霧造粒進行霧化處理，得到粒徑在50?100微米、松裝密度0.85g/cm3～0.90g/cm3的均勻粉料；將粉末放入球磨具中40MPa?45MPa預壓，制成陶瓷球生胚，將生胚剪去多余部分進行修型；將生胚在280MPa?300MPa條件下進行冷等靜壓成型；將所得毛坯球放入氣壓燒結爐內進行燒結處理，在1850℃?2000℃條件下燒結1h?2h，氮氣壓力為9MPa?12MPa，制得大尺寸氮化硅陶瓷球，與現有制備方法相比，可避免燒結過程中出現的易變形，不致密等缺陷。
31 一種外硬內韌氮化硅陶瓷及其制備方法
所述內層的主相為β?Si3N4，優選是以88～89.5wt%氮化硅粉體作為原料，10.5～12wt%Al2O3?Er2O3?ZrSi2為燒結助劑，經熱壓燒結制備得到；所述外層的主相為α?Si3N4，優選是以60.5～71.5wt%氮化硅粉體作為原料，以8.5～9.5wt%Al2O3?Nd2O3?LiF為燒結助劑，以及20～30wt%的TiC作為第二相，經二次熱壓燒結得到。
32 氮化硅陶瓷制品及其制備方法
該氮化硅陶瓷制品由顆粒材料成型并燒結制得；燒結的步驟包括：將氮化硅陶瓷顆粒在壓力為1MPa~5MPa、溫度為1480℃~1520℃的條件下保溫1h~6h后，卸至常壓，升溫至1600℃~1650℃時，加壓至2MPa~5MPa，于1700℃~1800℃下保溫2h~8h；顆粒材料的制備包括以下步驟：將陶瓷組合物、粘結劑和溶劑混合，得到氮化硅陶瓷漿料；將氮化硅陶瓷漿料進行干燥造粒，得到顆粒材料；按質量份數計，陶瓷組合物由以下組分組成：碳化鋁1~8份、氧化鈰1~8份、氧化鋯1~8份以及氮化硅78~95份；碳化鋁和氧化鋯的質量比為(0.2~2):1。該氮化硅陶瓷制品顯金黃色，且金黃色純正，色差較小。
33 一種氮化鋁粉體的制備方法
步驟：S1稱取γ?Al2O3微粉，炭黑、分散劑、粘結劑、催化劑、生物質碳源和水混合，得到前驅體料漿；對所述前驅體漿料進行噴霧造粒，得到前驅體造粒粉；S2在氮氣流下，于管式爐中，旋轉所述前驅體造粒粉，并加熱所述前驅體造粒粉使其發生反應得到氮化鋁原粉；S3在脫碳氣氛下對所述氮化鋁原粉進行脫碳處理，即得。
34 一種高導熱填料用高純氮化鋁粉的制備方法
通過氧化鋁粉、石墨粉、助劑、乙醇混合后，球磨得到固液混合物；一部分固液混合物經干燥，氮氣下燒結得到半成品；另一部分固液混合物經干燥，燒結得組合物；將半成品與組合物、助劑、乙醇混合后，球磨，干燥，氮氣下燒結，再轉移至自制溶液中，攪拌均勻后噴霧干燥，得到高導熱填料用高純氮化鋁粉。能夠解決高導熱填料用氮化鋁粉體制備過程的氧雜質問題、粒徑問題以及與高導熱基體的相容性問題。
35 一種水基漿料凝膠注模成型制備高導熱氮化硅陶瓷的方法
通過添加穩定不易揮發且堿性較強的試劑來提高漿料pH值到一定程度，以緩解漿料中的鎂化合物引起的氮化硅顆粒團聚，來控制漿料粘度在一定范圍，通過凝膠注模成型工藝成型陶瓷素坯后，待坯體經干燥、排膠并冷等靜壓增強后在碳熱還原性氛圍的石墨加熱爐中進行氣壓燒結，得到高導熱氮化硅陶瓷材料。采用該方法制備的高導熱氮化硅陶瓷材料性能優越，熱導率可達60W·m?1·K?1以上，抗彎強度可達800MPa以上。
36 一種3D打印用水基氮氧化鋁透明陶瓷漿料及其制備方法
所述3D打印用水基氮氧化鋁透明陶瓷漿料包括：Al2O3粉體、AlN粉體、二價金屬氧化物/鹽、稀土氧化物、弱酸、分散劑、增稠劑和水。
37 陶瓷組合物、氮化硅陶瓷材料及其制備方法和陶瓷制品
組分：氮化硼1～10份；氧化釔1～8份；鈦酸鋁1～8份；以及氮化硅75～95份。該陶瓷組合物，包括特定比例的氮化硼、氧化釔、鈦酸鋁和氮化硅，能在燒結后呈黑色，且黑色純正，色差較小，且保證陶瓷制品的性能基本不受影響。
38 一種斷裂韌性強的陶瓷材料及制備方法和應用
屬于陶瓷材料制備技術領域，陶瓷材料包括：按照各原料組分的體積百分數：α?Si3N455?75％，TiC5?15％，ZrSi20?15％，納米h?BN@SiO20?15％，Al2O33?7％，Y2O35?7％，其中，納米h?BN@SiO2不為0。通過納米核殼結構的h?BN@SiO2與基體材料形成晶內型結構，極大的提高斷裂韌性。
39 氮化硅基陶瓷體、氮化硅基陶瓷表面原位自生成氮化鋯涂層的方法
工藝簡單、成本低，更加有利于實際生產應用的氮化硅基陶瓷體、及氮化硅基陶瓷表面原位自生成氮化鋯涂層的方法。其包括以下步驟：（1）配比原料，包括：氮化硅60?85wt%、二氧化鋯5?30wt%、以及助燒劑5?20wt%；（2）將步驟（1）中配好的原料進行混合均勻；（3）將步驟（2）中得到的混合物進行造粒；（4）將步驟（3）中得到的造粒材料進行壓制成型；（5）將步驟（4）中得到的成型材料放在石墨瓷舟中進行燒結，所述燒結過程在惰性氣氛環境下進行。
40 一種基于納米表面改性和反應燒結氮化硅及其制備方法
該制備方法主要包括：1)將原始硅粉料進行表面納米改性處理，得到納米表面改性的硅粉料；再通過干壓處理和冷等靜壓處理得到加固的預制坯體；2)將預制坯體進行烘烤干燥處理，得到硅預制件；3)將硅預制件進行反應燒結熱處理得到一種氮化硅。該方法工藝簡單，原料成本低，特別是材料在燒結后收縮極小，實現近尺寸燒結，大大降低成本。對硅粉料進行納米表面改性，得到納米表面改性的硅粉料，能夠減少硅粉體顆粒團聚現象的發生，降低了燒結反應溫度，提高了燒結速率和燒結體的強度，提高燒結陶瓷的致密度和力學性能。
41 一種氮化鋁陶瓷結構件的制備方法
步驟1：制備各組件單元所需的AlN材質的陶瓷基板；步驟2：將各陶瓷基板加工成滿足精度要求的組件單元；步驟3：選擇組件單元印制銀銅鈦活性漿料；步驟4：將各組件單元組裝焊接成結構件；步驟5：對結構件清洗檢驗。將結構件分割為若干單元小部件，將單元部件印制銀銅鈦活性漿料，再通過焊接工藝組裝為結構件，該方法無需CNC加工，并且單個精度容易控制、一致性好、成品率高、成本低，滿足在?55℃～400℃范圍內長期使用等特點。
42 一種Si3N4導熱陶瓷材料的制備方法
制備方法包括以下步驟：改性、制備凝膠態懸浮液、成型、脫水脫脂處理和燒結。在凝膠態液體中形成了高均一、痕量石墨烯分布結構，實現了石墨烯的高均一分布，同時實現坯體成型，最終達到活性石墨烯在氮化硅基體中的原位分布，實現對晶界處氧脫除，減少玻璃相、提高α→β相轉變率，降低由于直接添加碳由于分布不均引起坯體變形開裂、晶格氧去除效果有限等問題；有效提高了材料的導熱性能和強度。
43 一種梯度層狀結構氮化硅陶瓷的制備方法
首先篩選出具有有效地降低氮化硅陶瓷顆粒的折射率差的表面改性劑，增加其固化深度。申請人對比改性前后的氮化硅陶瓷漿料的流變性能、動力學穩定性、潤濕性能和光固化性能，揭示了改性氮化硅陶瓷漿料的光固化成形機制。利用該機制改善了氮化硅陶瓷漿料的流變性能、動力學穩定性、潤濕性能和光固化性能，能夠制備得到具有高致密度、硬度和斷裂韌性的氮化硅陶瓷。
44 一種氮化硅陶瓷材料及其制備方法
為了提高氮化硅陶瓷材料的斷裂韌性，本發明選用Al2O3和MgO作為燒結助劑，燒結過程中Al2O3和MgO與氮化硅原料形成低熔點液相，并在燒結后以玻璃相存在于陶瓷晶界中或與氮化硅相反應形成復雜物相或固溶體。經過大量的實驗發現，在使用特定配比的燒結助劑條件下，可使氮化硅陶瓷材料的斷裂韌性提升至8.5MPa·m1/2以上，進而提高了氮化硅陶瓷作為口腔修復材料的使用壽命。
45 一種兩步燒結制備高強高導熱氮化硅陶瓷的方法
該方法是將氮化硅粉體和燒結助劑按一定比例與有機溶劑混合后，經過造粒、壓制、脫脂后，首先在低溫、常壓、通氮氣條件下預處理1～5h，隨后在高溫、0.9～10MPa氮氣壓力下進行燒結。在第一步預處理中，根據氮化硅粉體氧含量調節氧化鎂燒結助劑含量，利用氧化鎂與氮化硅粉體表面二氧化硅低溫反應特性，燒結前降低坯體氧含量，再進行第二步氣壓燒結。與未經過預處理的燒結體相比，經過兩步燒結的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，總氧含量和第二相含量有明顯減少，可制備熱導率大于90W/m·K，抗彎強度大于750MPa的氮化硅陶瓷。
46 一種熱壓燒結制備高導熱氮化硅陶瓷的方法
該方法是將氮化硅粉體與燒結助劑按一定比例混合均勻，首先將混合后的粉體在低溫、常壓、通氮氣條件下進行預處理；再經過研磨、過篩；隨后在熱壓爐中進行高溫燒結。經過預處理的粉體氧含量有明顯降低，熱壓制備的氮化硅陶瓷熱導率沿壓力方向大于80W/m·K，垂直于壓力方向大于120W/m·K。經過處理后的粉體氧含量低，燒結樣品不僅具有高致密度，第二相分布均勻且含量少，可一步得到高導熱氮化硅陶瓷。該方法可有效減少陶瓷中第二相含量，降低氧對陶瓷導熱性能的影響，制備工藝簡單、高效。為高氧含量氮化硅粉體制備導熱性能優異的陶瓷提供方向。
47 一種用廢鎂質耐材生產氮化硅鎂新技術
步驟：S1、將廢鎂質耐材分類挑選、除雜、破碎后，按質量分數稱取粉狀廢鎂質耐材33?43％，并將粉狀廢鎂質耐材投入到研磨設備中進行研磨，將研磨好的粉狀廢鎂質耐材存儲備用；S2、按質量分數稱取碳化硅粉35?45％，并將S1中得到的粉狀廢鎂質耐材與稱取的碳化硅粉投入到攪拌設備中混合，本發明的有益效果是：通過對廢鎂質耐材進行破碎，研磨等工藝使廢鎂質耐材重新利用，制得氮化硅鎂，節約了處理廢鎂質耐材時所花費的資金，還有利于保護環境，并且工藝步驟簡單、可操作性強，所需設備多為常規設備，易于采購且造價適中，有利于推廣應用。
48 一種光固化氮化硅陶瓷及其具有梯度結構制備方法
先混合Si3N4粉末和助燒劑形成陶瓷粉體，在陶瓷粉體中加入硬脂酸粉末，形成陶瓷混合粉末，過篩后加入KH560，加入磨球濕磨后干燥過篩待用；再混合聚氨酯、雙酚A、HDDA、IBOMA、DPHA、TPGDA、TMPTA和高折射率樹脂，加入光引發劑TPO，混勻得到預混液；然后將陶瓷混合粉末和分散劑加入預混液中，攪拌均勻后得到氮化硅陶瓷膏料；最后將氮化硅陶瓷膏料真空除泡后放入打印機料倉內，將梯度多孔結構模型輸入后開始打印，采用光固化成型得到具有梯度結構光固化氮化硅陶瓷；本發明可實現梯度結構中孔隙結構及孔隙率的精確控制，突破模具限制實現定制化結構成型，對高溫腐蝕性流體粒子的過濾分類及功能陶瓷的結構設計提供捷徑。
49 一種彩色氮化硅陶瓷材料及其制備方法
將制備原料濕法研磨，得到濕混合料；所述制備原料包括氮化硅、燒結助劑、Eu2O3和Dy2O3；將所述濕混合料干燥后篩分，得到混合粉體；將所述混合粉體加熱燒結，得到所述彩色氮化硅陶瓷材料。在氮化硅材料原有灰色的基礎上進行調控，得到的黃棕色的氮化硅陶瓷，豐富了氮化硅陶瓷的色彩。同時，能夠有效提升彩色氮化硅陶瓷的致密程度，進而提升其力學性能。由實施例的結果表明，制備的氮化硅陶瓷具有良好的力學性能及電磁屏蔽性能，可滿足其作為終端通訊設備背板材料的需求。
50 一種高強度氮化鋁陶瓷基板配方及生產設備
包括載帶輸送部；支架；旋轉倉；安裝管；溢流倉；支撐柱；透氣槽；壓板；真空腔；儲料腔；用于在旋轉倉旋轉時，驅動壓板朝下移動的離心驅動部。旋轉倉在進行旋轉時，壓板朝下移動并擠壓儲料腔內的氮化鋁陶瓷基板的漿料，同時漿料受到離心力的作用，使得漿料將朝旋轉倉的徑向外側流動，流動過程中，漿料中的氣泡將被擠壓驅趕至支撐柱的附近，并從支撐柱上的透氣槽進入真空腔內，由于壓板持續下移的，所以能夠持續地將漿料中的氣泡擠壓至真空腔內，此外漿料持續受到壓板的擠壓，所以漿料從溢流倉內溢流出來的速率不會受到漿料自重的影響，進而提升了流延成型的效率。
51 一種高導熱高強度氮化物陶瓷基板的制作方法
S1、將氮化硅粉、燒結助劑、巴基管、磷酸三乙酯和溶劑，用球磨方式進行第一次混合。該高導熱高強度氮化物陶瓷基板的制作方法，通過纖維拔出、橋聯和裂紋偏轉機制，在微裂紋尖端巴基管對裂紋張開產生阻力，由于巴基管的高彈性，在拉伸時會分散一部分的能量，使得裂紋無法繼續擴展，由此提高了氮化硅陶瓷基板的韌性，同時巴基管進入氮化硅陶瓷材料孔隙中，使得材料致密性提高，同時碳納米管的引入，導致了陶瓷復合材料導熱性能的變化，這是因為燒結溫度提高促進了燒結體內相轉變過程，凈化晶粒，降低晶格缺陷，提高了熱導率。
52 氮化硅燒結體的連續制造方法
能夠通過使用了β化率高的氮化硅粉末的燒結連續地進行氮化硅燒結體的制造。將收納有含有燒結助劑和β化率為80％以上、比表面積為7m2/g～20m2/g的氮化硅粉末、且鋁元素的總含量調整為800ppm以下的被燒成體(1)的燒成用治具(2)供給至連續燒成爐，在非活性氣體氣氛下和0MPa·G以上且小于0.1MPa·G的壓力下，加熱至1200℃～1800℃的溫度，對氮化硅進行燒結，該連續燒成爐具備：在端部具有上述燒成用治具的供給用開閉門(3)和排出用開閉門(4)的密閉式的燒成容器(5)、設置于上述燒成容器(5)的主體部外周的加熱機構(6)、用于將前述燒成用治具向燒成容器內供給排出的輸送機構、以及用于向燒成容器內供給非活性氣體的氣體供給機構。
53 高散熱性陶瓷材料及其制備方法和應用
原料組成：氮化硅：20?30份；氮化鋁：30?35份；納米氧化鎂：1?3份；二氧化鈦：5?8份；氧化鋯：10?15份；氧化釔：1?3份。通過氮化硅、氮化鋁和氧化鋯的共摻雜，在保證高導熱性和散熱性的同時，使得該陶瓷材料還具有較高的斷裂韌性和強度，大大提升了陶瓷材料的性能。
54 微波低溫預處理制備高強度低晶格氧缺陷氮化鋁陶瓷的方法
以Y?Ca?Dy復合燒結助劑作為脫氧動力源，采用微波燒結對氮化鋁生坯內晶粒進行降氧處理，微波頻率為2.45GHz，燒結溫度為1500～1630℃，燒結時間為5～10h，以獲得低氧雜質(晶格氧低于0.06wt.％)并有一定相對密度的預燒結坯體。在隨后的燒結過程中使坯體完全致密化。此方法獲得的氮化鋁陶瓷熱導率210～230W/m·k，晶粒尺寸可控(2～5μm)，抗彎強度高于400MPa。
55 一種添加碳化硅的高導熱氮化硅陶瓷材料及其制備方法
將粉末粒度均≤1μm的氮化硅粉末、氧化鎂粉末、稀土氧化物粉末和碳化硅粉末依次加入球磨機中，添加成型劑，以無水乙醇為介質球磨混合10～20h，經過噴霧造粒、致密化成型、高溫脫膠和高溫及高壓氮氣氣氛壓力燒結，得到高熱導率的氮化硅陶瓷材料。本發明摻雜組分碳化硅在高溫和高壓氮氣作用下Si?C鍵被Si?N鍵取代，釋放碳元素，進而與體系中的氧發生還原反應，降低體系氧含量；同時碳化硅轉化為主相氮化硅，不會向體系中引入額外雜質成分，有效提高氮化硅陶瓷材料的熱導率，且碳化硅粉末為成熟的工業化產品，化學性能穩定，容易獲得，價格低廉。
56 一種氮氧化鋁透明陶瓷的制備方法
將質量百分比為65?79％的γ?Al＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;粉和21?35％的AlN粉混合，另按其混合物質量的0.5?1％和1?5％分別添加燒結助劑Y＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;O＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;粉和MgO粉，球磨混合均勻后干燥過篩，然后模壓成型，在微波燒結爐中燒結成坯體，坯體在真空下升溫至800～1000℃保溫2～4小時，然后通入流動氮氣N＆lt;subgt;2＆lt;/subgt;，再加熱升溫至1600～1700℃保溫2～6小時后隨爐冷卻至室溫，得到氮氧化鋁陶瓷燒結坯體，經過表面研磨和雙面光學拋光即獲得透明的氮氧化鋁陶瓷材料。采用一次燒結工藝，工藝簡單，燒結溫度低，對設備要求不高，獲得的透明材料抗彎強度大于400MPa，2.0mm厚度在400～1400nm的直線透光率大于80％。
57 一種低介電損耗氮化鋁陶瓷材料及其制備方法
為解決現有技術下氮化鋁陶瓷材料介電損耗較高的問題，該材料由100份抗水解改性氮化鋁、0.4～1份燒結助劑、3～5份粘結劑、0.5～1.5份高溫樹脂、0.2～0.5份分散劑及0.2～0.5份消泡劑混合后干燥、模壓成型、脫脂、燒結得到。該氮化鋁陶瓷材料的介電損耗低，在13.56MHz的頻率下tanδ小于10×10?4，材料的致密度、強度以及熱導率高；原料中無強腐蝕性物質、無毒性物質、無對環境造成污染物質產生，符合環保要求；制備過程簡便，可工業化生產。
58 一種高導熱氮化硅基板的制備方法
步驟：S1、混料：按重量百分比進行混合，其中，80?95wt%Si3N4粉/Si粉、1?10wt%金屬硅化物、1?10wt%含鎂粉末；S2、成型：利用流延、干壓、等靜壓、擠出、軋膜對粉料進行成型；S3、熱處理：成型產品在真空/惰性氣體氛圍下的加熱至900?1350℃進行熱處理，處理時間為1?20h，使金屬硅化物充分分解并與氮化硅粉體表面的SiO2充分反應，在氮化硅粉體表面原位生成金屬氧化物；S4、燒結：通入純度≥99.999%的高純N2和NH3的混合氣體將氣壓升高至0.4?10Mpa后繼續升溫至1800?1950℃，保溫2?60h燒成；本發明不引入體系外元素，避免了碳熱還原法所帶來的生成新的雜質相的問題；原位生成的Yb2O3增大了與氮化硅粉體的接觸面積，提高了氮化硅的變相驅動力。
59 一種高導熱氮化硅陶瓷基片的制備方法
包括：（1）以硅粉/氮化硅粉體作為原料，與燒結助劑混合后，得到混合粉體；（2）將所得混合粉體分散在含有分散劑的溶劑中，再加入粘結劑和塑性劑并混合，得到混合漿料；（3）將所得混合漿料進行噴霧造粒，得到造粒粉體；（4）將所得造粒粉體裝入干袋式等靜壓機的模具并放入干袋式等靜壓機中壓制成型，再經脫模，得到基片素坯；（5）將脫模后的基片素坯進行烘干、真空脫粘、氮化處理和燒結，得到所述高導熱氮化硅陶瓷基片。
60 一種基于缺陷調控的超高溫陶瓷致密化方法、超高溫陶瓷
包括：采用多種合成方法制備得到與每種合成方法對應的超高溫陶瓷粉體；計算得到超高溫陶瓷粉體的位錯密度；基于計算得到的粉體的位錯密度，確定多種合成方法分別得到超高溫陶瓷粉體的混合比例；按照所述混合比例，將多種合成方法分別得到的超高溫陶瓷進行混合以調控超高溫陶瓷粉體缺陷濃度；將混合后的超高溫陶瓷粉體進行燒結，得到超高溫陶瓷；通過計算位錯密度并利用不同位錯密度的粉體調控粉體缺陷，制備得到致密度高的超高溫陶瓷。
61 一種光固化氮化鋁陶瓷漿料及其制備方法
提供的光固化氮化鋁陶瓷漿料的制備方法，利用聚丙烯酸對氮化鋁粉體進行表面改性處理；將莰酮摻加至光敏樹脂預混液中，而后加入改性處理的氮化鋁粉體，經分散即可制得氮化鋁陶瓷漿料。一方面，通過選用適宜分子量的聚丙烯酸對氮化鋁粉體進行改性處理，可有效改善氮化鋁粉體與光敏樹脂預混液的潤濕性；另一方面，選用莰酮對光敏樹脂預混液進行溶脹處理，可有效降低光敏樹脂自身的粘度；改性的氮化鋁粉體與改性的光敏樹脂預混液兩者發揮協同作用，可以有效降低陶瓷漿料的粘度，從而制備出高固含量、低粘度的氮化鋁陶瓷漿料，適用于光固化成型方式。
62 一種氮化硅陶瓷材料的提純方法
將納米硅粉、氮化硅陶瓷材料、燒結助劑和磷酸化合物混合進行濕法球磨，得到混合料；將所述混合料在氮氣氣氛中進行燒結。本發明中，所述燒結助劑在氮氣中燒結時形成氧化鋰，不產生其他固體雜質，在燒結過程中利用活潑的鋰元素輔助Si?N化學鍵的斷裂與生成，提高燒結過程中氮化硅粉體中的原子擴散系數，促進氮化硅由α相向β相轉變，提高氮化硅粉體的可燒結性能，且促進β相氮化硅晶粒長大，不僅能夠制備得到氮化硅陶瓷燒結體，而且由于磷酸化合物的加入，燒結助劑與磷酸化合物在較低溫度下，使納米硅粉在燒結過程中氮化生成氮化硅納米線，獲得高純度的氮化硅陶瓷材料。
63 一種高強韌二硼化物-碳化物復相高熵陶瓷的制備方法和應用
解決現有單相高熵陶瓷材料燒結困難，致密度低和斷裂韌性差，限制了其應用的問題。方法：制備二硼化物粉體和碳化鈦的混合粉末；二、熱壓燒結。一種高強韌二硼化物?碳化物復相高熵陶瓷在核反應堆和超高溫領域中應用。制備的復相陶瓷的致密度均大于97％，強度和韌性均得到顯著提升，室溫下陶瓷的硬度為35～40GPa，三點彎曲強度為800～1100MPa，斷裂韌性為6～8MPa·m1/2。本發明可獲得一種高強韌二硼化物?碳化物復相高熵陶瓷。
64 一種高可靠性氮化鋁覆銅陶瓷基板及其制備方法
為實現各個單相材料的優勢互補，以氮化鋁粉末、氮化硅粉末、燒結助劑為主料，燒結制備復合氮化鋁陶瓷基板，其滿足高強度、高導熱、低損耗等要求，綜合性能優異，實用性較好。工藝設計合理，方案操作簡單，陶瓷漿料層和焊料層的存在能夠有效改善A1N與金屬Cu之間的界面潤濕性，使氮化鋁與銅片之間緊密結合，使得覆銅基板具有高剝離強度及高可靠性優點，可適用于半導體制冷器、功率半導體模塊的制備，特別是大規模、超大規模集成電路及大功率LED，具有較高的實用性。
65 可用于氮化鋁陶瓷凈成型的方法
步驟：S1，按照比例稱取95wt％氮化鋁粉末、5wt％氧化釔粉末、山梨醇縮水甘油醚，然后按照按體積含量的40％～60％的比例加入非水基有機溶劑；S2，將上述材料充分混合球磨，形成非水基陶瓷漿料；S3，加入四乙烯五胺，再次球磨，然后除泡得到陶瓷漿料，其中，所述山梨醇縮水甘油醚和四乙烯五胺的比例為3～5：1，其中，且所述山梨醇縮水甘油醚和四乙烯五胺的總加入量為陶瓷粉體重量的1～5wt％；S4，將所述陶瓷漿料注進模、然后脫模干燥得到胚體；S5，將所述胚體高溫脫脂；S6，將脫脂后的胚體進行高溫燒結。
66 一種耐1300℃高溫的聚合物轉化陶瓷涂層及制備方法
解決或改善了制備陶瓷涂層工藝方法的現有技術不能滿足大尺寸、精度高工件的需求的技術問題。該制備方法以聚硅氮烷為前驅體制備聚合物衍生陶瓷涂層，該陶瓷涂層兼有聚合物涂層的低成本、易施工和耐高溫、耐腐蝕的多重屬性；該耐高溫陶瓷涂層滿足大尺寸、精度高工件的需求。
67 β’-Sialon-AlN-TiC復合陶瓷材料及制備方法
其原料以質量分數計包括以下組分：含鈦高爐渣17.21?32.28％，鐵尾礦22.47?28.35％，赤泥19.43?35.82％，還原劑18.2?33.87％。制備工藝流程為：破碎、球磨、干燥、過篩、配碳混勻、模壓成型、碳熱還原氮化和除碳即可得到β’?Sialon?AlN?TiC復合陶瓷材料。獲得的復合粉體具有有良好的耐蝕性、高溫強度和化學性質穩定。充分發揮含鈦高爐渣、鐵尾礦和赤泥中元素的回收價值和作用，且工藝簡單，合成的復相陶瓷材料集β’?Sialon、AlN、和TiC的優良性能于一身，三者之間優勢互補，這為含鈦高爐渣、鐵尾礦和赤泥資源化利用提供了一項有效途徑，提高產品附加值，降低Sialon陶瓷材料生產成本。
68 一種具有良好固化性能的氮化硅陶瓷漿料
具體步驟：1)稱取表面改性劑與不同顏色粒徑的氮化硅陶瓷顆?；旌蠑嚢?0?20min，然后干燥制得改性氮化硅陶瓷顆粒；2)將改性氮化硅陶瓷顆粒與稀釋劑混合進行真空攪拌除泡，攪拌得到預混液；3)在預混液中加入質量分數為1?10wt.％的引發劑進行真空攪拌除泡，攪拌即可，通過合理的級配以及匹配陶瓷粉末的顏色、粒徑分布來實現具有良好固化性能的氮化硅陶瓷漿料。
69 一種氮化硅陶瓷基板及其制備方法
步驟：將陶瓷粉體、溶劑、粘結劑、表面活性劑混合球磨，制備固含量為70～80wt％的陶瓷漿料；其中，所述陶瓷粉體包括氮化硅粉體和燒結助劑，所述陶瓷粉體中氮化硅粉體的質量分數為88～94wt％；將陶瓷漿料進行流延成型得到氮化硅坯板；將所述氮化硅坯板在空氣環境中進行排膠處理，排膠溫度為650～850℃，保溫時間為12～24h；將排膠后的氮化硅坯板在保護氣氛中、1950～2000℃下燒結，即得。制備方法生產效率高、成品率高、成本低，制得的氮化硅陶瓷基板熱導率高、強度高，精度好，尺寸范圍靈活。
70 一種均質化大尺寸氮化硅陶瓷平板的制備方法
通過將硅溶膠、水溶性大分子有機物、燒結助劑與酸洗氮化硅陶瓷粉體混合均勻，其中酸洗氮化硅陶瓷粉體包含0.5～0.8μm的顆粒和1～2μm的顆粒，進行球磨后獲得漿料；將所述漿料真空脫氣注入模具后，使其懸浮在液氮中進行充分固化成型，然后脫模得到坯體，坯體經干燥、燒結，得到均質化氮化硅基陶瓷平板材料。
高密度高強度石墨國內外研發現狀
美國POCO Graphite Inc 利用超細粉石墨材料在2500℃以上，壓力作用下的蠕變特性，成功開發再結晶石墨。再結晶石墨是在高溫高壓下使多晶石墨晶粒長大并走向排列而得到的高密度材料，石墨體內的缺陷(砂眼、裂紋等)消失，體積密度可達到1. 85-2.15g/cm3。
日本住友金屬公司用MCMB 成功研制體積密度1.98-2.00g/cm3高密度各向同性石墨。日本無機材料研究所在瀝青的苯不溶物添加蒽油和1， 2一苯并菲等高沸點有機化合物，加熱至350-600℃，制成粒徑>1-100 的MCVIB 在4MPa的成型壓力下成型，石墨化后得到高密度各向同性石墨。
揭斐川電氣公司用B階縮合稠芳多核芳烴(COPNA)樹脂為原料，在200 ℃模壓成型，固化后，再在400-500℃的條件下和非氧化性氣氛中熱壓處理，經過后續工作得到高石墨化、導熱性和導電性俱佳的高強高密(1. 85g/cm3) 石墨材料。
與發達國家相比還有很大差距
然而，盡管天然石墨是中國的優勢礦物資源，儲量、產量、國際貿易量均居世界前位，但中國的石墨產業布局嚴重畸形的局面卻亟待改變。民進中央長期調研發現，長期以來國內石墨產業礦產資源資料落后，生產品級劃分不嚴，浪費嚴重，基本上處于采選和初加工階段，技術嚴重落后，產品絕大部分為普通中高炭礦產品。值得注意的是，日、美等發達國家將天然石墨作為戰略資源，卻利用中國的廉價原料，深加工成能夠在電子、能源、環保、國防等領域應用的先進石墨材料，以極高的價格占領國際市場并返銷中國。
我國石墨主要出口國家分別是美國、日本、韓國、德國等，每年出口量占世界各國總出口量的80%以上。日本是全球最大的石墨進口國，其中98%從我國進口，美國天然鱗片石墨完全依靠進口，其中48%來自我國。我國石墨初級產品的出口國又恰恰是我國高附加值石墨產品的進口國。在我國大量出口石墨初級產品的同時，美、日、韓等發達國家卻早早把石墨列為戰略資源，嚴格控制開采，以采代購。
高純石墨 發展高附加值石墨制品的關鍵
中國生產的天然石墨產品中，絕大部分是最初級的加工產品。這些初級加工產品，都面臨著產能過剩的問題，而產能過剩又壓制了價格。伴隨初級產品出口為主，中國石墨的高附加值產品研發和生產則明顯缺失，隨著科學技術的不斷進步，高純微細石墨的用途越來越廣。普通的高碳石墨產品已不能滿足原子能，核工業的飛速發展急需大量的高純石墨。
據2011年不完全統計，中國高純石墨年需求量約為20萬噸左右。國外以其技術優勢在高純石墨方面占據領先地位，并在石墨高技術產品方面對中國進行禁運。目前中國高純石墨技術只能勉強達到純度99.95%，而99.99%乃至以上的純度只能全部依賴進口。2011年，中國天然石墨產量達到約80萬噸，均價約為4000元/噸，產值約為32億元。目前，進口99.99%以上高純石墨的價格超過20萬元/噸。其進出口由于技術壁壘導致的價差非常驚人。
加強技術研發，提高產品質量
高密度高強度石墨較傳統石墨除了具有高密度，高強度的強度外，還具有良好的熱穩定性。良好的熱穩定性是使石墨高溫使用中抗氧化性能大幅度提高，特別在模具行業，比傳統石墨可延長20-50% 的壽命。
對于中國石墨行業而言，技術進步是其發展的重心和關鍵。許多國家，尤其是一些發達國家，不斷致力于提高技術水平來開發石墨新產品和新用途，甚至由于多年積累，已經形成寡頭壟斷的態勢。例如氟化石墨主要由美、日、俄生產；膨脹石墨主要由美、日、德、法等國壟斷；其中高純膨脹石墨只有日本生產。
近幾年，我國涌現出許多石墨新技術和優秀科技成果，高純石墨材料開發與應用取得了可喜的進步。只有不斷依靠技術創新提高企業核心競爭力作為生存發展之道，不斷培育技術人才，加大科技投入，提高科技轉化、創新能力，才是石墨企業發展的根本。 為幫助國內石墨生產企業提高產品質量，發展高端產品，我們特收集整理精選了本專集資料。
? 石墨提純 現有工藝存在缺陷
?? ? 隨著技術的不斷發展，通過選礦工藝得到的鱗片狀高碳石墨產品己不能滿足某些高新行業的要求，因此需要進一步提高石墨的純度。目前，國內外提純石墨的方法主要有浮選法、酸堿法、氫氟酸法、氯化焙燒法、高溫法等。其中，酸堿法、氫氟酸法與氯化焙燒法屬于化學提純法，高溫提純法屬于物理提純法。
1、 浮選法：是利用石墨的可浮性對石墨進行富集提純，適應于可浮性好的天然鱗片狀石墨，石墨原礦經浮選后最終精礦品位通常為90%左右，有時可達94%~95% 。使用此法提純石墨只能使石墨的品位得到有限的提高，是因為部分硅酸鹽礦物和鉀、鈉、鈣、鎂、鋁等化合物里極細粒狀浸染在石墨鱗片中，即使細磨也不能完全單體解離，所以采用選礦方法難以徹底除去這部分雜質。
2、 酸堿法：是當今我國高純石墨廠家中應用最廣泛的方法，其原理是將NaOH與石墨按照一定的比例混合均勻進行鍛燒，在500-700℃氯化焙燒法的高溫下石墨中的雜質如硅酸鹽、硅鋁酸鹽、石英等成分與氫氧化鈉發生化學反應，生成可溶性的硅酸鈉或酸溶性的硅鋁酸鈉，然后用水洗將其除去以達到脫硅的目的;另一部分雜質如金屬的氧化物等，經過堿熔后仍保留在石墨中，將脫硅后的產物用酸浸出，使其中的金屬氧化物轉化為可溶性的金屬鹽，而石墨中的碳酸鹽等雜質以及堿浸過程中形成的酸溶性化合物與酸反應后進入液相，再通過過濾、洗滌實現與石墨的分離，從而達到提純的目的。但是此種提純方法的缺點在于需要高溫鍛燒，設備腐蝕嚴重，石墨流失量大以及廢水污染嚴重，且難以生產碳含量99.9%及以上的高純石墨。
3、 氫氟酸提純法：是利用氫氟酸能與石墨中幾乎所有的雜質反應生成溶于水的化合物及揮發物，然后用水沖洗除去雜質化合物，從而達到提純的目的。使用氫氟酸法提純石墨，除雜效率高、能耗低，提純所得的石墨品位高、對石墨的性能影響小。但由于氫氟酸有劇毒和強腐蝕性，生產過程中必須有嚴格的安全防護措施，對于設備要求嚴格導致成本升高;另外氫氟酸法產生的廢水毒性和腐蝕性都很強，需要嚴格處理后才能排放，環保環節的投入又使氫氟酸法的成本大大增加，如污水處理稍不到位，會對環境造成巨大污染。
4、氯化焙燒法是將石墨礦石在一定高溫和特定的氣氛下焙燒，再通入氯氣進行化學反應，使石墨中的雜質進行氧化反應，生成熔沸點較低的氣相或凝聚物的氯化物及絡合物逸出，從而達到提純的目的。由于氯氣的毒性、嚴重腐蝕性和污染環境等因素，在一定程度上限制了氯化焙燒工藝的推廣應用。
5、高溫法提純石墨，是因為石墨是自然界中熔點、沸點最高的物質之一，熔點為3850 士50℃，沸點為4500℃，遠高于所含雜質的熔沸點，它的這一特性正是高溫法提純石墨的理論基礎。將石墨粉直接裝入石墨士甘鍋，在通入惰性保護氣體和少量氟利昂氣體的純化爐中加熱到2300~3000℃，保持一段時間，石墨中的雜質因氣化而溢出，從而實現石墨的提純。雖然高溫法能夠生產99.99%以上的超高純石墨，但因鍛燒溫度極高，須專門設計建造高溫爐，設備昂貴、投資巨大，對電力口熱技術要求嚴格，需隔絕空氣，否則石墨在熱空氣中升溫到450℃時就開始被氧化，溫度越高，石墨的損失就越大。這種設備的熱效率不高，電耗極大，電費高昂也使這種方法的應用范圍極為有限，只有對石墨質量要求非常高的特殊行業(如國防、航天等)才采用高溫法小批量生產高純石墨。
（二） 低能耗石墨提純技術 國內最新研制
??? 據恒志信網消息：針對石墨提純現有技術存在的問題。武漢工程大學研制成功一種對天然石墨進行高純度提純的方法及裝置。該方法能耗低，所得到的石墨的純度高，其裝置簡單。
與現有技術相比，新工藝的有益效果是:
1、工藝新穎、裝置簡單、能耗低、升溫迅速，是采用等離子體炬加熱技術，利用熱等離子體局部超過4000℃的高溫，使石墨原料中的雜質在短時間內充分氣化，實現提純石墨目的，可以實現石墨的連續提純。
2、原理與現行高溫提純法一致，但由于是將石墨粉直接送入具有極高溫度的等離子體焰流中直接加熱，因此熱利用率極高。而采用現有高溫爐提純，熱能除了加熱物料外更多的是在加熱爐體，并被散發到環境中。
3、采用新技術工藝，石墨的純度高(碳質量含量≥98.7%)。初始碳質量含量90% 、粒度100目的石墨，經過一次提純后碳質量含量98.7% ;經過第二次提純碳質量含量99.5% 經過第三次提純碳質量含量99.9%;如再經過幾次循環石墨提純到碳質量含量99.99%。
資料中詳細描述石墨提純的方法及其裝置，其能耗遠低于現行高溫提純法。石墨的純度高，裝置簡單。
（三）天然隱晶質石墨(礦)剝離提純方法
天然隱晶質石墨是我國的優勢礦產資源之一，主要用于鑄造、石墨電極、電池碳棒、耐火材料、鉛筆和增碳劑等方面。隱晶質石墨晶體極小，石墨顆粒嵌于粘土中，很難分離。由于隱晶質石墨原礦品位高(一般含碳60%-80%)，部分可達95%，平均粒徑。.01-0.1μm，用肉眼很難辨別，故稱隱晶質石墨，俗稱土狀石墨。與鱗片石墨相比，土狀石墨碳含量高，灰分多，晶粒小，提純技術難度大，使其應用范圍受到極大限制。在我國，通常都是將開采出來的石墨礦石經過簡單子選后，直接粉碎成產品出售。因此天然隱晶質石墨資源得不到充分的利用，甚至盲目出口，造成資源的浪費。鑒于天然隱晶質石墨的技術含量和附加值極低，而我國市場需要的高純超細石墨則多數依賴進口，開展天然隱晶質石墨的提純新方法尤為緊迫。
據恒志信網消息：湖南大學最新研制成功天然隱晶質石墨的提純新方法，解決了現有技術中天然石墨礦，特別是隱晶質石墨提純技術難度大、成本高、污染大、資源浪費嚴重的問題，適用于不同品味、不同礦質的天然石墨的提純，且成本低，環境污染小，低能耗，簡單易行，具有廣泛的應用前景。
天然隱晶質石墨的提純新方法具有如下優點:
1、新技術所采用的插層劑原料價格低，可循環使用或回收利用。
2、新技術對石墨結構無明顯破壞，也不會產生明顯缺陷，對大尺寸鱗片石墨具有保護作用。
3、新技術所生產的產品多元化(高碳石墨、高純石墨、石墨烯和石墨烯納米片) ，可根據市場需求調整產品結構。
4、新技術可在現有石墨浮邊生產線上增添一定工藝設備進行實施，工藝簡單，設備要求低，條件溫和，成本低。
5、新技術不使用酸和堿，污染物產生少，對環境友好。
6、新技術適用于不同的固定碳含量的天然石墨礦，也可用于與輝鉬礦的剝離提純。
技術指標:原料:高碳隱晶質石墨粉(固定碳含量為43.2% 200目)
成品:高純石墨(碳含量99.95% )，石墨回收率72% 。
? 【資料描述】
? ???資料中詳細描述了天然隱晶質石墨的提純新方法、礦漿液調制方法、超聲剝離的礦漿液、浮選、提純等等步驟、以及生產實施例等等。
純度≥99.999% 天然石墨高溫提純新技術
??????
?? 【石墨高溫提純技術背景】
石墨作為工業原料，尤其在一些特殊行業以及原子能工業、汽車工業、航天技術、生物技術等高新技術工業，不但對石墨的碳含量要求極高，同時也要求在石墨的成分中不能含有過多的微量元素，必須是99.9%以上的高純度石墨，然而現在一般的天然石墨含碳量均無法滿足這些行業對高純度石墨的要求，目前對天然石墨采取的提純法仍是利用石墨的耐高溫的性能，從而使用高溫電熱法提高石墨純度，由于此工藝復雜，需要建設大型電爐，電力資源浪費嚴重，同時需要不斷通入惰性氣體，造成成本高昂。尤其重要一點，是當石墨純度達到99.93%時，己達到極限，無法使石墨的固定碳含量繼續提高。目前對于氯氣提純尚未形成工業化生產。
現有技術存在工藝復雜、對原料的顆粒選擇過大等缺點。國內外有采用高溫提純天然鱗片石墨，即將天然石墨裝入己石墨化過的石墨士甘塌內進行石墨化提純，利用石墨士甘鍋具有良好的導電、導熱以及耐高溫特性，石墨灰粉2700℃度以上高溫氣化逸出，該方法能將純度提高至99.99% 以上，但高溫石墨純化存在純化時間長、工藝流程復雜、要求較高的溫度同時嚴重浪費電力資源，然而化學提純石墨的方法由于工藝落后，對于小顆粒的石墨不能較好的回收，對環境造成污染，并且純度亦不能滿足市場對產品的需求。
??? ?????
? 【高純度天然石墨的提純新方法 研制成功】
??? 據恒志信網消息：針對上述現有技術存在的問題中。國內新研制成功一種純度高、工藝簡單、節省電力資源、利于石墨回收的高純度天然石墨的提純方法。是采用高溫提純石墨的方法，經過高溫反應、化學提純、洗滌、脫水后獲得高純度的石墨，利用氧化劑、絡合劑與天然石墨進行反應，去除原料中雜質，得到微量元素含量低，性能穩定的石墨。新工藝對含碳量>60%的石墨原料進行純化，得到純度大于99.9991%，灰粉<1PPM,微量元素<0.5PPM的石墨，具有工藝簡單，易于操作，生產效率高，耗電量低，不需要大型的加工設備，節約生產成本。
? 【新技術優點】
在石墨提純工藝中均采用化學提純或氧化提純工藝，對于6000目以上的天然石墨則提純的純度很難達到99.9以上。
1、新提純工藝利用氧化劑和絡合劑與天然石墨原料進行化學反應，去除原料中Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205、CuO 等雜質，從而生產出微量元素含量低，性能穩定的產品。而現有國內石墨提純工藝中均采用化學提純或氧化提純工藝，對于6000目以上的天然石墨則提純的純度很難達到99.9以上。
2、目前國內大多在提純過程中采用自來水用于石墨的提純工藝中，由于一般的水質中均含有Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+等離子物質，不利于去除石墨中本身所含有的Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205 、CuO等雜質，新技術方案的工藝中采用經過離子交換樹脂處理過的不含Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+等雜質離子的純水，更好的去除石墨中所含有的Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+ 等雜質離子，同時可以使石墨中的pH 值達到6.4-6.9 。從而得到純度高達99.999% 以上，灰粉<1PPM，微量元素<0.5PPM的石墨。
3、新技術方案工藝中將反應釜內的溫度加熱至85-90℃，可以是石墨與所加入的氫氟酸、鹽酸、硝酸和乙二胺四乙酸與石墨中的所含的Ca2+、Mg2+、CL-、Si2+等雜質離子能夠進行充分的化學反應，通過洗滌、脫水后，去除石墨中含有的Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205、CuO等雜質，新技術方案中所選用的溫度范圍，并按照所述的溫度范圍進行提純，能夠使提純達到最佳效果。絡合劑具有分散、懸浮作用和很強的絡合能力，在較小用量甚至極小用量就能達到需要的絡合程度，絡合劑還能有Ca2+、Mg2+等金屬離子發生絡合，形成金屬絡合物，從而達到去除金屬離子的目的。
4、新技術方案工藝中加入的絡合劑能是絡合劑與石墨中的Ca2+、Mg2+等離子發生絡合，形成金屬絡合物，通過洗滌、脫水去除石墨中含有的Si02 、A1203 、MgO 、CaO 、P205、CuO等雜質，技術方案選用合適的絡合劑，并按照所述的比例加入進行提純夠進一步提高純化的效果.
5、新技術工藝可對粒度為100-10000目，含碳量>60% 的石墨原料進行純化，得到純度為99.999% 的石墨成品，具有工藝簡單，易于操作，反應時間短，生產效率高，耗電量低，在提純過程中不需要大型的加工設備，節約生產成本。所得產品可應用于電子工業、國防尖端工業、化學分析工業、核工業、航天工業等高科技領域。
【高純度天然石墨的提純方法】部分摘要
??? 提純步驟為:
????步驟一、取含碳量>60% 的石墨400公斤，放入反應釜Ⅰ內，按石墨的重量百分比依次加入30公斤乙二胺四乙酸、50公斤氫氟酸（濃度40%）、2公斤硝酸（濃度98%）。鹽酸（濃度30%），后加入100L水，開機攪拌，轉速200轉/分鐘，攪拌時間20分鐘;
????步驟二、升溫反應，開啟反應釜上溫控裝置，使反應釜內的溫度升至85℃，反應4小時，反應過程中每隔50分鐘攪拌一次，每次攪拌時間3分鐘，攪拌速度200轉/分鐘，反應完成后，再靜置3小時，靜置完成后排出反應釜內尾氣，制得混合料漿A;
????步驟三、將混合料漿A 置入冷卻塔Ⅱ內，向冷卻塔Ⅱ內注入重量為混合料漿A兩倍量的純水，形成混合料漿A-2，邊注水邊攪拌，攪拌速度200轉/分鐘，攪拌至冷卻塔II內的溫度降至35℃止，完成降溫后，打開冷卻塔II 的放料閥，將混合料漿A-2 置入洗滌器Ⅲ內;
????步驟四、將混合料漿A-2置入洗滌器Ⅲ中后，向洗滌器Ⅲ中注入純水，邊注水邊洗滌，洗滌器Ⅲ的洗滌轉速500轉/分鐘，洗滌至混合料漿A-2 的pH值呈6.4止，后將洗滌器III的轉速設置為1000轉/分鐘，進行離心脫水，脫水至混合料漿A-2的含水量為20%止，停止脫水，制得混合料漿B;
????步驟五、混合料漿B 重新放入反應釜Ⅰ內，按石墨重量百分比加入80公斤硫酸（濃度98%）、40公斤氫氟酸（濃度40%），然后加入純水100L，攪拌20分鐘，攪拌速度為200轉/分鐘;
????步驟六、第二次升溫反應，開啟反應釜Ⅰ的溫控裝置，使反應釜Ⅰ內的溫度升至85℃，反應2小時，反應過程中每隔1小時進行一次攪拌，每次攪拌時間3分鐘，每次攪拌速度為200轉/分鐘，反應結束后，關閉電源，打開反應釜I 上的尾氣排放閥，將反應釜I內的廢氣排出，制得混合料漿C;
步驟七、 步驟八、步驟九、步驟十、步驟十一、步驟十二
...............略 詳細步驟請見本資料專集
步驟十三、將脫水后的混合料漿H 送至烘干設備上烘干，烘干溫度為150-350 ℃，烘干后的含水量<0.1% ，碳含量為99.9991% -99.9995%，制得產品;
? 【資料描述】
????資料中詳細描述了高純度天然石墨的提純技術的制備方法、現有技術所存在的問題，性能和優點、實施例等等。
北京恒志信科????技發展有限公?司
我們的優勢
國際新技術資料網擁有一支工作態度認真、業務基礎扎實、團結協作意識強、專業技術水平過硬的員工隊伍。我們以質量、信譽、完善的售后服務為準則，以優質的服務、雄厚的技術力量、先進的情報手段服務于廣大客戶。公司和自2000年成立以來，與有關科研單位、報社、信息中心共同合作為近萬家企業單位、科研院校提供了有效的專題資料服務，得到了廣大的企業家、科研工作者的好評。?
國際新技術資料網由北京恒志信科技發展有限責任公司組建，是專門致力于企業經濟信息、科技信息開發、加工整理、市場調查和信息傳播的專業化網站，網站發展宗旨是：致力于我國信息產業的建設，及時向企業、科研部門提供最新的國際最領先技術的科技信息情報，有效服務于企業新產品開發、可行性論證和推廣。
? 我們的業務
網站主要提供包括美國、日本、韓國、歐洲各國的專利技術資料、世界排名企業最新技術情報資料收集整理、數據加工、資料翻譯，接受企業、科研院所委托專題情報服務。網站主要欄目包括世界科技發展熱點的各類先進的新材料、石油助劑、化工助劑、建筑涂料，粘合劑 肥料配方，金剛石砂輪，金剛石鋸片，磁材，金屬表面處理，水處理及水處理劑等新技術工藝配方。